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核心专利短缺 LED知识产权危机

展的关键问题。  我国LED发明和上游专利比重小  我国LED生产专利主要集中于中下游领域,中游封装、下游应用环节的专利占申请总量的64%。在关系到产业长远发展的关键技术环节,仍缺

  http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/22/315101.html2013/4/22 10:39:43

深圳LED概况

经形成了400多家相关企业的产业规模,占全国同行业企业总数的70%以上,产品远销世界各地。据悉,目前深圳LED生产企业主要生产经营有发光二极管、封装LED光源和LED应用、数码管

  http://blog.alighting.cn/mule23/archive/2008/11/12/9287.html2008/11/12 10:16:00

LED芯片行业市场回暖 三安光电/华灿光电/鸿利光电等LED企业被看好

芯片涨价预示行业回暖继3月份部分LED封装厂商涨价之后,近期晶元光电在大陆唯一官方销售商晶元宝晨光电表示部分系列LED芯片价格将上涨。此次晶电对LED芯片的涨价解释为“因近期各

  https://www.alighting.cn/news/20160531/140745.htm2016/5/31 9:46:08

LED光源介绍

前国际上出现大晶片LED,晶片面积达40mil。其发光过程包括三部分:正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输。微小的半导体晶片被封装在洁净的环氧树脂物中,当电子经过该晶片时,

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/9/19/98272.html2010/9/19 21:42:00

LED光源介绍

前国际上出现大晶片LED,晶片面积达40mil。其发光过程包括三部分:正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输。微小的半导体晶片被封装在洁净的环氧树脂物中,当电子经过该晶片时,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258649.html2011/12/19 11:10:56

LED光源介绍

前国际上出现大晶片LED,晶片面积达40mil。其发光过程包括三部分:正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输。微小的半导体晶片被封装在洁净的环氧树脂物中,当电子经过该晶片时,

  http://blog.alighting.cn/119379/archive/2011/12/20/258864.html2011/12/20 15:57:41

LED光源介绍

前国际上出现大晶片LED,晶片面积达40mil。其发光过程包括三部分:正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输。微小的半导体晶片被封装在洁净的环氧树脂物中,当电子经过该晶片时,

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261424.html2012/1/8 21:28:11

LED光源介绍

前国际上出现大晶片LED,晶片面积达40mil。其发光过程包括三部分:正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输。微小的半导体晶片被封装在洁净的环氧树脂物中,当电子经过该晶片时,

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262595.html2012/1/29 0:32:32

LED光源介绍

前国际上出现大晶片LED,晶片面积达40mil。其发光过程包括三部分:正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输。微小的半导体晶片被封装在洁净的环氧树脂物中,当电子经过该晶片时,

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271697.html2012/4/10 23:22:48

三个影响LED灯具质量光衰的因素

做的底胶与白光胶与封装胶水封装出来的LED白灯,单颗点亮在30度的环境下,一千小时后,衰减数据为光衰70%;如果用d类低衰胶水封装,在同样的老化环境下,千小时光衰为45%;如果c类

  http://blog.alighting.cn/sinberliang/archive/2011/4/6/148250.html2011/4/6 19:40:00

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