站内搜索
为了降低si衬底GaN基led的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
目前在led制程中，蓝宝石基板虽然受到来自si与GaN基板的挑战，但是考虑到成本与良率，蓝宝石在近两年内仍然具有优势，可以预见接下来蓝宝石基板的发展方向是大尺寸与图案化（ps
https://www.alighting.cn/resource/20130816/125399.htm2013/8/16 11:56:41
用使得行业企业抱团发展，从中受益。 led产业源头突破 今年，留美归国博士、铝镓光电总经理庄德津率领他的团队，在全球范围内首次开发出在线氮化铝缓冲层生长技术，这一技术将减少两道氮
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/8/15/323613.html2013/8/15 16:23:13
对“用于GaN的生产型mocvd”设备控制系统的软/硬件结构、关键技术进行了描述,介绍了国外几种生产型GaNmocvd设备控制系统的特点;分析了mocvd设备控制技术的发展趋势。
https://www.alighting.cn/resource/20130814/125402.htm2013/8/14 11:46:44
出射;二是运用碳化硅衬底进步器材散热，三是运用氮化镓同质衬底制备极低缺点的高质量晶体，进步led的发光功率。 无极灯当前国内半导体照明资料的首要疑问有：一是中心专利技能缺少，国内大
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/13/323399.html2013/8/13 15:08:07
晶电昨(7)日董事会通过，将针对转投资100%子公司正谊进行10亿元新台币的增资计划。该公司表示，为因应客户需求，部分订单将委由正谊生产，生产基地位于中科厂，该厂原为另一子公司广
https://www.alighting.cn/news/20130812/112219.htm2013/8/12 9:26:20
度降低缺陷密度。采用非极性衬底生长led，可作显示屏、电视、手机等背光源，没有取向性，不要外置扩散片。采用半极性、非极性蓝宝石和GaN衬底生长led的核心技术，已取得突破性进
http://blog.alighting.cn/188279/archive/2013/8/7/322937.html2013/8/7 9:30:39
于一般照明而言，人们更需要白色的光源。1998年发白光的led开发成功。这种led是将 GaN芯片和钇铝石榴石(yag)封装在一起做成。GaN芯片发蓝光(λp=465nm，wd=3
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2013/8/5/322854.html2013/8/5 17:00:54
镓(GaN)和铟氮化稼(inGaN)的是最具有商业运用价值的led灯资料之一。 无极灯 全球led照明疾速开展，将会股动镓和铟需要的疾速增长，也会股动越来越多的公司和自己重视铟和
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/5/322838.html2013/8/5 14:38:28
近日，东芝公司宣布推出采用硅基氮化镓(GaN-on-si)制程打造的白色led产品。
https://www.alighting.cn/pingce/20130801/121752.htm2013/8/1 10:43:48
