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中科院研究的led材料及芯片关键技术取得突破性发展

由 “十一五”国家863计划新材料领域项目支持,中国科学院半导体研究所承担的“高效氮化物led材料及芯片关键技术”创新团队项目课题近日顺利通过验收。

  https://www.alighting.cn/news/201296/n569243150.htm2012/9/6 10:44:40

中国科学院突破高效led芯片及材料关键技术

中国科学院在中国率先突破以氮化物为主的半导体外延材料生长及掺杂、芯片结构设计及机理验证、测试及封装等关键技术,实现了150lm/w以上的led高效发光;成功制备了中国首个300n

  https://www.alighting.cn/pingce/20120917/123060.htm2012/9/17 10:00:36

白光led荧光粉研究及应用新进展

基于白光发光二极管技术的迅速发展以及荧光粉对白光led器件的发光效率、显色性和使用寿命等性能的决定性影响,系统阐述了蓝光led芯片激发用铝酸盐、硅酸盐、氮化物和氮氧化物系列黄色

  https://www.alighting.cn/resource/20121222/126242.htm2012/12/22 18:05:07

东芝普瑞携手:8英寸led芯片实现突破

日宣布,在年初两家公司达成合作协定短短几个月后,两家公司共同研发出了行业顶级8英寸氮化led芯片。该芯片仅1.1毫米,在电压低于3.1v电流350ma时发射功率达614m

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2012/7/2/280589.html2012/7/2 11:23:57

非直接俄歇效应是氮化物基led光效下降主因

灯。   van de walle教授和他的同事们正在改进高效能,无毒且长寿命的氮化物基led性能。他们深入研究在长时间高功率驱动下led光衰这一现象。造成这一现象的原因已经引发了很

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/1/167917.html2011/5/1 23:15:00

氮化物基led光效下降 非直接俄歇效应是主因

灯。   van de walle教授和他的同事们正在改进高效能,无毒且长寿命的氮化物基led性能。他们深入研究在长时间高功率驱动下led光衰这一现象。造成这一现象的原因已经引发了很

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222273.html2011/6/20 22:36:00

加州大学学者宣称发现氮化物led光效下降主因

相反应但不放出光子的现象。研究者还发现包含散射机制的非直接的俄歇效应非常显着。这一发现使得在以往理论研究中,用直接俄歇过程预测led光衰和实际测量结果不符的现象得以解释。在氮化

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222259.html2011/6/20 22:29:00

超长寿命 东芝发布led照明产品规格书

东芝照明在2012年12月就宣布已经开发出一种在200mm硅晶圆上制造氮化led的工艺,通过采用新型硅上氮化(gan-on-si)技术来生产led芯片,并且已经准备开始量产。

  https://www.alighting.cn/news/201317/n279747771.htm2013/1/7 16:22:26

国际研究:ingan量子井在led的局限性

氮化(ingan)是蓝光led的关键材料,最近有国际研究团队发表有关氮化薄膜中铟(indium)含量受限的核心机制,该研究在今年一月刊载于期刊《physica

  https://www.alighting.cn/news/20180125/154979.htm2018/1/25 10:46:22

美研发出单片集成三色led,未来将包含更多颜色组合

基于氮化技术和现有的制造设施,应变工程可以为微显示器提供一种可行的方法。

  https://www.alighting.cn/pingce/20170919/152804.htm2017/9/19 9:53:06

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