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影响LED散热的主要因素包含了LED晶粒、晶粒载板、晶片封装及模组的材质与设计，而LED及其封装的材料所累积的热能多半都是以传导方式散出，所以LED晶粒 基板及LED晶片封装的设
https://www.alighting.cn/2012/8/31 16:13:49
章的同时，西进中国的台湾LED厂正一座座完
https://www.alighting.cn/news/20100317/120410.htm2010/3/17 0:00:00
将硅衬底上外延生长的氮化镓基LED 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光LED 器件，并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
据江门奥伦德外延部厂长翁叶华介绍，目前，5条高亮氮化镓基LED外延片生产线已成功验收，2条LED外延片生产线正式投产，1条正调试生产高端产品，2条生产线备产，根据市场的需求适时投
https://www.alighting.cn/news/20110810/100422.htm2011/8/10 9:23:00
运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法，对纤锌矿结构和氯化钠结构gan的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究，分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123531.htm2015/3/5 9:53:05
科锐公司日前宣布与全球领先的射频(rf)功率放大器制造商rfhic公司达成全球范围内非专属专利许可协议，rfhic公司将享有科锐领先的doherty放大器相关专利的使用权。科锐创新
https://www.alighting.cn/news/20111221/114248.htm2011/12/21 9:54:52
台积电旗下创投vtaf公司投资的美国LED大厂普瑞光电于3月25日宣布，该公司运用“氮化镓上矽”(gan-on-silicon)的LED技术，已达成每瓦135流明之效能。这代表普
https://www.alighting.cn/news/20110329/116855.htm2011/3/29 11:33:52
言，此协议允许双方可使用各自的专利。该协议包含iii-v族化合物半导体LED，其中包括氮化镓基(蓝光和绿光)LED和铝镓铟磷基(红光和橙光)LED，另外，还包括两家公司的子公
https://www.alighting.cn/news/20100919/117199.htm2010/9/19 9:21:51
台湾晶电董事长李秉杰预估，今年全球LED照明数量成长将达100%，另外，磊晶单价今年跌幅可望止稳，晶电也制定出全年业绩成长30%的目标。
https://www.alighting.cn/news/20130402/113230.htm2013/4/2 10:30:19
与现有产品相比，采用cl_ms荧光体的白色LED“不仅可以获得适合室内照明的柔光，还可降低成本”。具体的量产时间未公布，不过横矢表示，“荧光材料的量产技术已经确立，正与LED厂
https://www.alighting.cn/news/20121022/99078.htm2012/10/22 17:53:55
