站内搜索
度的潜在问题。安森美半导体高级应用工程经理郑宗前在文中针对这些问题的发生原因和解决方法展开论
https://www.alighting.cn/resource/20130217/126065.htm2013/2/17 11:06:45
采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在si衬底上制备出子性能良好的类金剐石膜.通过共聚焦raman光谱验证亍薄膜的类金刚石特性,用原
https://www.alighting.cn/2013/2/1 14:17:59
gan是优越的iii-v族直接带隙半导体材料，是iii-v族家族中最引人注目的半导体材料之一，其在光电领域有着极为重要的应用，已经引起了广泛的研究。gang基光电子器件的制备和工
https://www.alighting.cn/2013/2/1 10:26:05
鉴于led标准管具有量值传递方便进而统一量值的优点,指出作为标准管不仅要保证赋值的准确性和其量值保持长期稳定性,选择led标准管要求其配光曲线要好,即接近朗伯发光体。介绍了配光曲
https://www.alighting.cn/resource/20130130/126087.htm2013/1/30 16:14:26
本文章研究了基于zeta/sepic双向变换器的光伏半导体发光二极管照明系统，提出了一种充电控制算法，其既能实现太阳能电池的最大功率点跟踪(mppt)又能满足蓄电池电压限制条件和
https://www.alighting.cn/2013/1/29 14:41:28
通俗来讲，led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基板上生长结晶而成。采用的基板根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色 led等gan类半导体材
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
恒流驱动和提高led的光学效率是led应用设计的两个关键问题，本文介绍大功率led的应用及其恒流驱动方案的选择指南，然后以美国国家半导体(ns)的产品为例，重点讨论如何巧妙应
https://www.alighting.cn/resource/2013/1/24/14551_79.htm2013/1/24 14:05:51
采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(100
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126124.htm2013/1/23 14:41:54
zno作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有很好的化学稳定性和热稳定性,抗辐射损伤能力强,在光电器件、压电器件、表面声波器件等诸多领域有着很好的应用潜力。本文主要介绍制备zno薄
https://www.alighting.cn/2013/1/22 17:16:23
