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基于双光栅结构下特征参量与gan基led光提取效率的动态关系

为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的gan基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅gan基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分

  https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29

白光led光效的分析

分蓝光光子则量子下转换为黄光,所以白光led 光源输出蓝、黄光混合的准白

  https://www.alighting.cn/resource/20130308/125928.htm2013/3/8 11:19:09

zno纳米线及其器件研究进展

zno既是半导体材料又是压电材料,在nm尺度出现量子限域、小尺寸效应等新性质,使其成为低维结构研究领域的热门课题。本文对zno nw在发光二极管、太阳能电池、紫外激光器、纳米发电

  https://www.alighting.cn/resource/20130121/126146.htm2013/1/21 10:29:49

能源部启动第四轮固态照明核心技术投资

美国能源部(doe)发起第四轮固态照明核心技术投资,该轮包括6个投资领域:1)内量子效率(iqe),2)寿命和效率获提高的芯片的可靠性及缺陷性质,3)荧光粉和转换材料,4)出光效

  https://www.alighting.cn/news/2007524/V2455.htm2007/5/24 16:19:40

非极性gan led性能获重要突破

d在高工作电流下创输出功率新高,且同时具有41%的外量子效率(eq

  https://www.alighting.cn/news/2007511/V2418.htm2007/5/11 11:09:40

图形化衬底上外延结构的形态演化

度有序的量子点结

  https://www.alighting.cn/2012/4/9 17:52:41

探秘:硅上氮化镓(gan)led

些芯片安装到器件中,使得内量子效率接近40

  https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19

gan基led溢出电流的模拟

通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:28:20

无荧光粉的白光led

本文档为亚洲led照明高峰论坛上,中科院物理研究所的陈弘博士讲述一种ingan晶粒制作白光led的方法,利用特殊的单层ingan量子阱制备技术,使蓝光和黄光两个波长的混合,首列实

  https://www.alighting.cn/resource/20110621/127494.htm2011/6/21 18:26:48

剖析:功率型白光led封装技术、荧光粉技术发展趋势

研究标明,随着温度下降,荧光粉量子效能升高,荧光粉在led封装中的感化在于光色复合。出光减少,辐射波长也会发生变化,从而引起白光led色温、色度的转变,较高的温度还会加速荧光

  https://www.alighting.cn/resource/20110513/127621.htm2011/5/13 10:37:51

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