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本文节选自《leds科技》中关于《控制严格的cie led点胶解决方案》一篇的节选，文中重点介绍了符合cie标准的led点胶解决方案。
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126961.htm2011/10/25 17:23:51
小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(eqe)比老化前低;老化前后eqe衰减幅度在不同的注入电流下存在明显差异,衰减幅度最小处出现在发光效率最高时对应的电流密度区
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
死灯原因不外是两种情况：其一，led的漏电流过大造成pn结失效，使led灯点不亮，这种情况一般不会影响其它的led灯的工作；其二，led灯的内部连接引线断开，造成led无电流通过
https://www.alighting.cn/resource/20111021/126982.htm2011/10/21 12:42:47
当led所处环境温度高于安全工作点温度时，led的正向电流就会超出安全区，使led的寿命大为降低甚至损坏。解决方法是利用温度补偿电路来不断减小led的正向电流值，避免led因温
https://www.alighting.cn/2011/10/20 11:42:02
led产品分为：点阵数码管、lamp、smd 、top view、side view、大功率等很多品种，但是这些品种都有一个共同点就是都是存在树脂和支架的非气密闭封装结合。所
https://www.alighting.cn/2011/10/19 17:00:53
本文详细的介绍了led芯片发光过程中光的萃取以及效率的产生等基本原理，是不错的led外延芯片基础知识，共享于此，希望可以帮助大家学习!
https://www.alighting.cn/resource/20111019/127001.htm2011/10/19 13:47:34
以被用来进行各种应用。将就其光电器件、非合金化欧姆接触以及量子点应用进行一些回顾,并说明该材料的一些特殊性
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09
利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
本文介绍了有任意配光分布的一个反射器的母线计算方法。介绍了求解光源射到反射器光线的角度θ与反射出来投射角度α的关系，在得到了θ～α的关系后求解反射面母线各点坐标的方法。应该看
https://www.alighting.cn/2011/10/9 11:21:55
通过低压金属有机化学气相外延 (lp movpe)工艺生长了algainas应变补偿量子阱材料,通过x射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降
https://www.alighting.cn/2011/10/8 12:00:18
