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器进行吸收，散热器若设计无法达到处理器的要求，那么硅晶体就会因温度过高而损毁。因此tdp也是对散热器的一个性能设计要求。 人们也习惯用热阻抗值来对散热器的性能进行标识 热阻抗值rc
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/2/18/133421.html2011/2/18 13:35:00
知，假设环境温度也确定，根据壳 温即等于环境温度，那么此时允许的p也就随之确定。 2、小功率半导体器件，比如小晶体管，ic，一般使用时是不带散热器的。所以这时就要考虑器件壳体到空
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/1/21/128269.html2011/1/21 11:54:00
利的启动和正常地工作，现在的应急转换器都采用晶体器件使直流供电的变压器的初级绕组反复地接通和断开以获得交流电压，从而从变压器次级得到灯工作所需的较高电压，为了减少变压器的尺寸，避免音
http://blog.alighting.cn/quhua777847/archive/2011/1/18/127915.html2011/1/18 7:32:00
造工业带来了诸多挑战。它们的制造是通过复杂的晶体外延生长的方式得到的,比如金属有机化学气相沉积(mocvd)技术,该加工技术非常复杂,它有赖于化学反应来实现晶体生长,而不是物理沉
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127094.html2011/1/12 17:25:00
d，被称为二元素发光管。而目前最新的制程是用混合铝(al)、钙(ca) 、铟(in)和氮(n)四种元素的algainn 的四元素材料制造的四元素led，可以涵盖所有可见光以及部份紫外
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127092.html2011/1/12 17:24:00
膜出现龟裂，晶格常数差会在gan外延层中造成高的位错密度;另外si衬底led还可能因为si与gan之间有0.5v的异质势垒而使开启电压升高以及晶体完整性差造成p型掺杂效率低，导致串
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
、晶圆处理工序 本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00
行探索。由于gan材料的电荧光对晶体缺陷并不敏感，因此人们预期在si衬底上异质外延生长ⅲ族氮化物发光器件在降低成本方面具有明显的技术优势。 人们还期待使用si衬底今后还有可能
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
钢龙骨硅酸钙板。为了使保温、隔热物理指标达到规定要求，龙骨内可放置保温棉。此外，在铺设木地板时，可在地板下的隔栅间放置保温材料，如矿棉板、阻燃型泡沫塑料等。对于家住顶层的居民，吊顶
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126985.html2011/1/12 0:30:00
能时代的快步推进。 不少劣质节能灯初始光效项目检测不合格，使用起来“省电不省钱”.一些企业把灯的功率标得很高，实际上却达不到；还有的企业为了降低成本，用普通卤磷酸钙粉代替节
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126973.html2011/1/12 0:11:00
