站内搜索
利用pld方法沉积了si基zno薄膜，通过结构和电学特性的测量，研究了在o2气氛下退火温度对zno薄膜微结构的改善。研究得到：o2气氛下700℃退火，zno薄膜中出现施主深能级局
https://www.alighting.cn/2013/1/22 17:55:42
结合功率型gan 基蓝光led 芯片的电极分布, 在硅载体上电镀制作了金凸点, 然后通过热超声倒装焊接技术将led 芯片焊接到载体硅片上。结果表明, 在合适的热超声参数范围
https://www.alighting.cn/2012/5/17 14:01:47
如何降 低led内部和外部热阻、改进光源紧固结构压力、免用铝基 板等问题进行分析和实验，设计了“一种与散热器直触式 led光源”，并推出了“一种复式散热器及其模块式led灯具”
https://www.alighting.cn/2012/2/24 17:47:28
为了提高gan基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
本研究基于蓝宝石图形衬底(pss)制备gan基40mil功率型led芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了led器件的光电性能。制备的led外延片波长集中在6nm范
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127407.htm2011/7/21 17:45:16
继6寸晶圆产线陆续启动后，发光二极体(led)制造商已投入8、12寸晶圆的研发，如普瑞光电(bridgelux)即成功以8寸矽晶圆制造的矽基氮化镓(gan-on-silico
https://www.alighting.cn/resource/20110517/127599.htm2011/5/17 17:53:02
全球市场上led芯片基片制造的主流技术是蓝宝石衬底技术和碳化硅衬底技术,它们分别属于日本日亚公司和美国cree公司。我国芯片制造企业大多使用日本日亚的蓝宝石衬底技术,但需要向日本
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127927.htm2010/7/12 16:21:15
、电解电容与陶瓷电容;4、功率管之三极管与mos管，集成与外置;5、设计与焊接工艺;6、高温与常温老
https://www.alighting.cn/resource/2013/5/22/161242_91.htm2013/5/22 16:12:42
征;灯具正反面两面均可散热，灯具的封档开通风槽，背面形成散热通道，可以沿隧道方向充分利用气流充分散热，弧形带翅散热片，有效增加散热面积;光源模块采用高导热铝基板;陶瓷封装大功率le
https://www.alighting.cn/resource/2014/4/22/104736_60.htm2014/4/22 10:47:36
案。除此之外，还给出了利用普通环氧pcb板进行传热设计的解决方案，达到了与铝基pcb板相同的传热效
https://www.alighting.cn/resource/2014/3/12/154921_64.htm2014/3/12 15:49:21
