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庄卫东申报阿拉丁神灯奖年度贡献人物

x)。  (6)新型白光led用橙红色硅基氮氧化物红粉及其制备技术  开发了caalsin3结构硅基氮化物红粉固溶β-sialon基团的新型橙红色荧光粉,其晶体结构有明显不同于三菱专

  http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/15/314456.html2013/4/15 10:38:28

光电激发方式对algainp及GaN基led电学特性的影响

采用光激励与电激励的方式对algainp与ingan/gan基led的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异。探讨了影响led理想因子的因素

  https://www.alighting.cn/2013/4/15 10:33:09

灯用稀土荧光粉国际国内市场需求分析

少的生命元素,物质的根基和源泉。  我国自七十年代在稀土固态发光研究的基础上,由稀土x增感屏、荧光闪烁晶体、投影管、彩色显像管、彩色电视阴极射线荧光粉、高压汞灯荧光粉、灯用稀土三基

  http://blog.alighting.cn/wuhong88/archive/2013/4/12/314338.html2013/4/12 17:19:23

【有奖征稿】非极性GaN薄膜及其衬底材料

一份来自新世纪led有奖征稿活动的关于《非极性GaN薄膜及其衬底材料》的资料,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/4/12 13:01:03

浅析芯片发展瓶颈 高亮度led芯片硅衬底渐成主流

高亮度led主要分为红外光的gaas体系和algaas体系,红、橙、黄、绿色的algainp体系,绿色和蓝色的inGaN体系,以及紫外光的GaN和alGaN体系。目前inGaN

  https://www.alighting.cn/news/20130412/90243.htm2013/4/12 9:44:22

图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制

采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作GaN基发光二极

  https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01

GaN基功率led电应力老化早期的退化特性

大,衰减较快。该结果对GaN led的改进有一定参考价

  https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42

解析散热塑料在led球泡/筒灯的应用

定。高分子基体中基本上没有热传递所需要的均一致密的有序晶体结构或载荷子,导热性能相对较差。作为导热填料来讲,其无论以粒状、片状、还是纤维状存在,导热性能都比高分子基体本身要高。当导热填

  http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/4/10/314037.html2013/4/10 11:24:37

万邦何文铭申报阿拉丁神灯奖年度贡献人物

初的几百倍。  5)2006年,何文铭亲自改装了进口的asm公司的固晶机和邦定机,使该机器的效率提高了20-30%;  6)2008年至2009年,何文铭主导开发了国家光电子晶体

  http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/9/313886.html2013/4/9 17:14:12

led外延结构的内量子效率的提高方法

而改善晶体质量。例如,inGaN使用si参杂就可以改善晶体质量。3、cl参杂:cl的电阻率是决定cl浓度的重要参数,浓度一定要低到不足以在cl中产生热效应,但是cl参杂又必须高过a

  http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11

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