站内搜索
于光电子和微电子器件领域。si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介绍了si衬底GaN基材料生长及特性方面的研究现
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
摘要：GaN具有禁带宽、热导率高等特点，广泛应用于光电子和微电子器件领域。si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
近日，rusnano、onexim group以及uomp公司签署了一份关于俄罗斯照明计划的文件，为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建了一个高技术的工业生产体系。
https://www.alighting.cn/news/20081217/96286.htm2008/12/17 0:00:00
世界领先的电子及能源产业的半导体材料生产和制造商soitec与照明行业的材料、设备和系统供应商重庆四联光电科技有限公司就共同使用hvpe制造氮化镓(GaN)达成了协议。
https://www.alighting.cn/news/20120711/113188.htm2012/7/11 10:12:51
据来自于日本经济新闻方面的消息，三菱化学与蓝光led之父中村修二已成功运用液相沉积法生产出氮化镓(GaN)晶体。
https://www.alighting.cn/news/20101209/116107.htm2010/12/9 9:11:07
东京大学生产技术研究所教授藤冈洋的研究组与神奈川科学技术研究院（kast）宣布，共同开发出了在柔性底板上形成由氮化镓（GaN）构成的led技术。由于制造方法采用的是易于支持大面
https://www.alighting.cn/resource/20080229/128588.htm2008/2/29 0:00:00
GaN基化合物半导体材料技术和器件制造工艺的迅速发展已经引起了全世界的密切关注，成了近期半导体光源技术的发展热点，是许多国家政府能源战略关注的热门技术。
https://www.alighting.cn/resource/20061123/128478.htm2006/11/23 0:00:00
本压力巨大的今天，我们将是您最忠诚的伙伴2、8寸晶圆现货，导通电阻更低，耐压，防静电，良率更高3、研发工程师能上门技术指导，并为贵司规划ic设计方案、其他解决方案，为您产品提质
http://blog.alighting.cn/152548/archive/2012/12/13/303403.html2012/12/13 17:29:58
我司提供高压mos的台系，均采用8寸晶圆，先进技术制造，工艺领先，性能优异，欢迎大家选购我司是国内唯一自行研发，自行销售大功率mos器件（superjunction mosfe
http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/12/17/303968.html2012/12/17 13:46:34
计公司，我们的ic芯片/在业界久负盛名。我们既可以给你提供成品高压mos管，也可以给您提供mos管8寸晶圆，500v，650v均可提供，封装形式有to-220/220f，to-251
http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/12/13/303373.html2012/12/13 15:23:13
