检索首页
阿拉丁已为您找到约 922条相关结果 (用时 0.0240811 秒)

氧气压强对pld制备mgzno薄膜光学性质的影响

使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性

  https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11

高性能背照式gan/algan p-i-n紫外探测器的制备与性能

r和bcl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面,光敏面面积为1.96×10-3 cm

  https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13

一种led汽车前照近光灯配光设计方案

从汽车前照近光灯gb4599-94标准出发,提出了一种led近光灯的设计方案.该方案采用侧发光型led为光源,以抛物面作为反射器设计的基础面,根据gb4599-94对近光灯的配

  https://www.alighting.cn/resource/20130521/125585.htm2013/5/21 11:43:54

村田让led照明更节能更智能-领先电子元器件与智能控制解决方案

一份出自村田(中国)投资有限公司的关于介绍《让led照明更节能更智能-领先电子元器件与智能控制解决方案》的讲义资料,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/resource/20130521/125586.htm2013/5/21 11:14:54

管型基元led的研究

该文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导

  https://www.alighting.cn/2013/5/21 10:26:12

金属-n型氧化锌纳米薄膜接触特性的研究

zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必须

  https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56

采用mocvd方法在gaas衬底上生长zno和zno薄膜

采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10

  https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08

生长温度对si衬底zno薄膜结构的影响

通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,si(111)衬底上成功地制备了zno薄膜,我们用x射线衍射(xrd)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te

  https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09

大连康莱德希尔顿酒店工程资料

本案例为2013阿拉丁神灯奖工程类参评项目——大连万达康莱德-希尔顿酒店。对于这两个酒店而言,空间赋予照明更多要求。灯光在满足各空间基本照度的同时,用不同的表现手法和技巧渲染出酒

  https://www.alighting.cn/resource/2013/5/9/1590_23.htm2013/5/9 15:09:00

氧分压对pld制备zno薄膜结构和发光性质的影响

采用脉冲激光沉积(pld)技术,在si(100)衬底上制备出高度c轴取向的zno薄膜。通过x射线衍射(xrd)谱,扫描电镜(sem)和室温光致发光(pl)光谱的测量,研究了生长气

  https://www.alighting.cn/2013/5/7 11:24:11

首页 上一页 33 34 35 36 37 38 39 40 下一页