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刻蚀深度对si衬底gan蓝光led性能的影响

在si衬底上生长了oanled外延材料,将其转移到新的硅板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前,对尺寸

  https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38

2013ls:晶能-硅衬底上氮化镓垂直结构大功率led的研发及产业化

本资料来源于2013新世纪led高峰论坛,是由晶能光电(江西)有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资

  https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07

晶能光电硅大功率led芯片量产入选“全球半导体照明2012年度新闻”

国际半导体照明联盟(isa)在广州举行年度成员大会,并正式发布了“全球半导体照明2012年度新闻”评选结果。晶能光电作为“全球首家量产硅大功率led芯片的公司”成功入选了“全

  https://www.alighting.cn/news/20121105/113019.htm2012/11/5 11:49:36

非直接俄歇效应是氮化物led光效下降主因

灯。   van de walle教授和他的同事们正在改进高效能,无毒且长寿命的氮化物led性能。他们深入研究在长时间高功率驱动下led光衰这一现象。造成这一现象的原因已经引发了很

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/1/167917.html2011/5/1 23:15:00

氮化物led光效下降 非直接俄歇效应是主因

灯。   van de walle教授和他的同事们正在改进高效能,无毒且长寿命的氮化物led性能。他们深入研究在长时间高功率驱动下led光衰这一现象。造成这一现象的原因已经引发了很

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222273.html2011/6/20 22:36:00

李职推荐广东昭信集团参与2015阿拉丁神灯奖评选

与了国家工信部8项国家标准的制定,并取得了多项处于国内领先水平的研发成果。  推荐人:中国赛西(广州)实验室 李职

  http://blog.alighting.cn/lizhiji123/archive/2015/3/12/366520.html2015/3/12 20:19:27

投射灯尺寸和中心定位系统标准

ansi c78.1421-2002 投射灯尺寸和中心定位系统.gz4的35mm整体反射轮辋标准灯

  https://www.alighting.cn/resource/2011/5/3/173015_38.htm2011/5/3 17:30:15

旭瑞光电将采用诺发公司vector(r)型pecvd设备,生产金属垂直结构led

d生产企业——美国旭明公司(semileds corporation )。这台新的vector将被安装在佛山旭瑞光电的生产车间里,用于生产金属垂直结构高效le

  https://www.alighting.cn/news/20110707/115265.htm2011/7/7 12:14:21

采钰科技发表应用于固态式照明之8寸外延片级led硅封装技术

a technologiescompany)昨(16)日宣布发表专属之8寸外延片级led硅封装技术,并以此项技术提供高功率led之封装代工服务,对于有高性能需求、微型化以及具成本竞争力的固态式照

  http://blog.alighting.cn/VisEraLED/archive/2011/7/26/230915.html2011/7/26 21:39:00

双buck太阳能led路灯照明控制系统设计方案

大功率点和浮充两种方式对蓄电池进行充电,并对蓄电池进行管理,以防止过充和过放,led路灯恒流输出,系统已经正常工作了2个月。虽然防反充二极管选用的是肖特二极管,但是,损耗还是比较

  https://www.alighting.cn/2013/1/24 15:38:23

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