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近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
管(led)外延片;最终,进行芯片制造和测
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
研究了不同能量的电子束辐照对gan基发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对gan基led外延片进
https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14
c 外延片和蓝宝石晶片上都取得突
https://www.alighting.cn/2012/2/14 15:11:31
本文为南京工业大学电光源材料研究所所长王海波先生关于《led和oled照明的发展现状》的演讲，主要总政策和目前业内光效水准开始，讲到外延的生产，设备发展状况，行业的标准状况…
https://www.alighting.cn/resource/20111213/126802.htm2011/12/13 15:04:49
硅上氮化镓(gan)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
讨论了采用mocvd在al2 o3衬底上生长gan过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
lg伊诺特近期宣布，已经在韩国坡州建成了世界最大的单一led制造基地，该基地安装了超过10,000盏led灯具，生产产品涵盖led外延片生长、led模块制造的led生产各个环节。
https://www.alighting.cn/news/2011728/n380233423.htm2011/7/28 8:46:59
