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细介绍。 1、LED电学特性 1.1 i-v特性 表征LED芯片pn结制备性能主要参数。LED的i-v特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229836.html2011/7/17 22:29:00
光LED可针对各单体LED设计散热结构，因此较容易获得高输出效果，不过rgb单体LED的芯片物理上彼此相隔，所以必需设计专用的导光路，使rgb单体LED的光线能均匀混色变成白光，如
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120563.html2010/12/13 23:08:00
望高性能LED能提供“芯片LED”的表贴
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229925.html2011/7/17 23:19:00
个固定频率上工作并且对脉宽进行调整，以匹配所需的占空比。当前大多数LED芯片都使用pwm来控制LED发光。为了确保人们不会感到明显的闪烁，pwm脉冲的频率必须大于100 h
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/3/20/268915.html2012/3/20 10:05:57
应用到LED照明散热上面，synjet的大致原理是一个类似振动膜的元件以一定频率振动压缩腔内的空气，空气受压缩后从细小的喷嘴高速喷出，形成空气弹喷向散热片，同时空气弹带动散热片周
https://www.alighting.cn/resource/20130830/125363.htm2013/8/30 13:34:42
台厂颖台科技指出，侧光式LED电视使用导光板产品2010年q3将小量出货，预计q4或2011年q1出货量可望明显增加。
https://www.alighting.cn/news/20100726/119834.htm2010/7/26 10:05:58
壳封装，到70年代的环氧树脂封装，到90年代中后期的四脚食人鱼封装、贴片式smd封装、大功率封装、芯片集成式cob封装等。随着大功率LED在半导体照明应用的不断深入，其封装形态在短
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126996.html2011/1/12 0:45:00
高亮度三合一芯片LED为发光源；发光均匀细腻。具备柔软、可折叠弯曲，随意打结、裁减、拼接等特点，而不会影响发光性能。使用方便快捷，直接将背面3m胶揭开并粘贴于所需安装表面或使用透
http://blog.alighting.cn/adps588/archive/2009/12/30/22881.html2009/12/30 10:34:00
d的核心专利，再到全球的LED照明市场，国内LED照明行业深受垄断之害。mocvd作为外延芯片制造的关键核心设备，不仅仅用于LED，在光伏、通讯(包括无线通讯和光纤通讯)、电动汽车等
http://blog.alighting.cn/207609/archive/2015/3/18/366743.html2015/3/18 13:38:16
感不强，由亮度等级不足导致的另一个问题是进行γ校正不容易，从而使全彩色LED大显示屏产生一定的颜色 失真。 ti公司的最新推出的tlc5941驱动芯片具有点校正和高亮度等
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120876.html2010/12/14 21:49:00
