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型gan：mg淀积厚度大于500a的niau层，用于欧姆接触和背反射；第二步，采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出n型层；第三步，淀积、刻蚀形成n型欧姆接触层，芯片尺寸为1×
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10
发,变成激发状态的电离子.称为发生了阶跃，激发状态的汞过了很短的时间就自发地回落到原来的状态,同时释放出紫外线光，紫外线光不能用来照明.于是我们在灯管的内壁涂了一些荧光物质,在紫外线
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261423.html2012/1/8 21:28:09
数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1-1[5-7].假设发光是在p区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261391.html2012/1/8 20:27:29
境是在比较冷的地方，整年的平均温度可能只是15度左右，或更小，那对于led来说，寿命就更长了。 或者，led工作的时候，旁边有个小风扇在吹着，帮它驱散热气，这样子对led的寿
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261371.html2012/1/8 20:22:20
高。 led具备未来光源多项优势，其中节能效益是最受业者关注的重点。 以往led因当时技术受限，在亮度无法有效提升，多用于指示性用途的辅助光源，但现在以白光led为例子，制作方式早已大幅改
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261370.html2012/1/8 20:22:18
團(auxochrome)：本身在200 nm以上不產生吸收，但其存在能增強生色團的生色能力（改變分子的吸收位置和增加吸收強度）的一類基團。一般助色團為具有孤對電子的基團，如-o
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261344.html2012/1/8 20:19:53
使透光性能变差。此外,引线焊点的存在也使器件的出光效率受到影响。采用gan led倒装芯片的结构可以从根本上消除上面的问题。 五、芯片键合技术 光电 子器件对所需要的材料在性能上
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
世界第一的led封装厂商─亿光电子于2012年开春正式发表全新「低色温」路灯技术，输出效率高达世界最高的每瓦输出100流明(lm/w)的表现，高均匀性的光源与大于85%的高演色
https://www.alighting.cn/pingce/20120106/122599.htm2012/1/6 11:45:43
艾笛森认为，2012年仍将充满挑战，整合能力及反应速度越快的公司将可胜出，预计第2季起市场可望落底回归正常，艾笛森未来将透过取得各地区认证及加速与客户策略合作的方式来积极布局照
https://www.alighting.cn/news/201216/n743636948.htm2012/1/6 10:24:20
光宝科执行长滕光中指出，去年是led最坏的一年，整个产业经过这一波的秩序调整，2012年可迈向健康发展的路。led磊晶厂晶电、亿光认为3月需求开始可见逐步回笼，亿光亦自信公司在今年
https://www.alighting.cn/news/20120105/89544.htm2012/1/5 10:24:39
