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aln缓冲层对algan表面形貌的影响

对后续外延层的结晶质量具有重要的影响,这也解释了algan表面形貌的形

  https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:11:48

表面处理对蓝宝石衬底的影响

0 min左右,显示的位错清晰、准确,且最适合随后的横向外延

  https://www.alighting.cn/resource/20110831/127222.htm2011/8/31 15:44:51

浅析:led封装之陶瓷cob技术

cob,在电子制造业里并不是一项新鲜的技术,是指直接将裸外延片黏贴在电路板上,并将导线/焊线直接焊接在pcb的镀金线路上,也是俗称中的打线(wire bonding),再透过封

  https://www.alighting.cn/resource/20110826/127251.htm2011/8/26 9:56:45

上市公司天龙光电联手华晟光电研发mocvd

天龙光电利用超募资金投入,华晟光电以多项mocvd专有技术及资金投入,共同在常州合资成立独立法人的中外合资公司,主要从事mocvd设备及外延工艺的研发、生产、销售、及售后服务,并

  https://www.alighting.cn/news/2011221/n177430372.htm2011/2/21 18:31:08

晶能光电等投资2亿美元在常州建半导体照明产业园

该半导体照明产业园由金沙江创业投资基金(gsr ventures)投资设立,现有外延片芯片、led灯泡和研发中心三个项目,分别由晶能光电(江西)有限公司、sunsun ligh

  https://www.alighting.cn/news/2011317/n685530750.htm2011/3/17 18:25:27

10亿元led芯片项目开发晶厦门奠基

开发晶计划投资近5亿美元,从事led芯片和外延片、led光源模组、led灯源、led灯具和led应用产品的研发、封装、生产制造等。按照项目二期投资规划,2012年4月开始进行首

  https://www.alighting.cn/news/201168/n348932523.htm2011/6/8 18:23:22

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

用同种gan基led外延片材料制作了不同尺和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45

氮化镓(gan)衬底及其生产技术

用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓体单晶材

  https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56

2011年中国半导体照明产业数据及实际发展状况

2011年,我国半导体照明产业规模达到1560亿元,较2010年的1200亿元增长30%。其中上游外延芯片、中游封装、下游应用的规模分别为65亿元、285亿元和1210亿元,增

  https://www.alighting.cn/news/2012113/n934737046.htm2012/1/13 9:28:38

中微光电投资7.3亿元建半导体产业聚集区

中微光电子(潍坊)有限公司是集led外延生长、芯片制造、封装和灯具全产业链生产的国家高新技术企业。据了解,该公司拟在齐齐哈尔市投资7.3亿元,兴建光电产业聚集区(含配套企业)。

  https://www.alighting.cn/news/2012220/n032837634.htm2012/2/20 9:29:10

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