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芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极管(leds)和激光二极管(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

led开启无限可能:能写诗、能舞蹈、能光疗 智能led灯

示,led已经超越了照明和灯饰的概念,它可以与人互动,可以用来促进植物的生长,甚至可以用来写诗。  led实际上是数码的光,开启无限可能  150年前,爱迪生发明了灯泡,改变了人类对

  http://blog.alighting.cn/ledpop/archive/2011/12/20/258794.html2011/12/20 11:24:45

盘点:2011年led芯片产业投资状况

目总投资12亿元,其中固定资产投资11亿元(包括设备投资10亿元),铺底流动资金4500万元,建设蓝宝石晶体生长和开盒(掏棒)生产车间,以及后续的蓝宝石晶体切割和研磨、抛光生产车

  http://blog.alighting.cn/116344/archive/2011/12/29/260511.html2011/12/29 10:27:20

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极管(leds)和激光二极管(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

交流发光二极管(acled)知识

国 iii-n technology,3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底,可以增进照明和传感器的应用,并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261561.html2012/1/8 21:50:48

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极管(leds)和激光二极管(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

交流发光二极管(acled)知识

国 iii-n technology,3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底,可以增进照明和传感器的应用,并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262735.html2012/1/29 0:41:22

[原创]led散热(三)

瓷印制电路。先在铝的表面用微弧氧化生长一层100μm厚的氧化铝薄膜,再用溅射或丝网印刷制作电路层。采用这种方法的最大优点是结合力强,而且导热系数高达2.1w/m.k,而且氧化层的热膨

  http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267446.html2012/3/10 10:15:21

[原创]led散热(三)

瓷印制电路。先在铝的表面用微弧氧化生长一层100μm厚的氧化铝薄膜,再用溅射或丝网印刷制作电路层。采用这种方法的最大优点是结合力强,而且导热系数高达2.1w/m.k,而且氧化层的热膨

  http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267557.html2012/3/12 19:17:56

led光源的研制和市场动态

到没有合适的单晶衬底材料、位错密度太大、n型本底浓度太高和无法实现p型掺杂等问题的困扰,曾被认为是一种没有希望的材料,因而发展十分缓慢。进人 9 0年 代之后,随着材料生长和器件工

  http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50

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