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后减弱,最强发射时铕含量为0.1%左右。图2为这些荧光粉的激发光谱。由图可知,这些荧光粉在350nm下和400nm以上能够被有效激发,且随铕含量的不同,其激发光谱的形状没有明显的区
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
inn材料在光电子领域有着非常重要的应用价值,inn是性能优良的半导体材料。inn的禁带宽度也许是0.7ev左右,而不是先前普遍接受的1.9ev,所以通过调节合金组分可以获得从0
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
度)可能要求一个延时咛期,允许良好的胶点形成。另外,对聚合物范本的非接触式印刷(大约1mm间隙)要求最佳的刮板速度和压力。金属模板的厚度一般为0.15~2.00mm,应该稍大于(+
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229945.html2011/7/17 23:28:00
有体积孝重量轻、温度低、耗电少、无闪烁、发光均匀等特性,现已逐渐取代传统的led背光方式。el 背光系统是由el灯片和el驱动器组成。el灯片的厚度一般小于0.2mm,是由绝缘基
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229944.html2011/7/17 23:27:00
包封材料,应用要求提高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘 结或烧结在引线架上,管芯的正极通过球形接触点与金丝,键合为内引线与一条管
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
品化的设备出售。目前国内外研究氮化镓衬底是用mocvd和hvpe两台设备分开进行的。即先用mocvd生长0.1～1微米的结晶层,再用hvpe生长约300微米的氮化镓衬底层,最后将原
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高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上,管芯的正极通过球形接触点与金丝,键合为内引线与一条管脚相连,负极通过反射
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
易实现0~100%的连续调光,能在安全特低电压下工作,可连续工作于开关闪断的工作状态以及其光输出具有定向性等诸多独特的优势,近年来在其光效和光色上的明显进步已使它能进入商业化应
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为：室内led显示屏、室外led显示屏、半户外led显示屏。led大屏,led大屏幕。4. 按发光点直径或点间距分为：φ3.0、φ3.7、φ4.8、φ5.0、φ8.0、ph8、ph10
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作的商用化led。这些早期的红色led每瓦大约能提供0.1流明(lumens)的输出光通量,比一般的60至100瓦白炽灯的15流明要低上100倍。1968年,led的研发取得了突破性进
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