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2011年摩洛哥国际电力展

、赤道几内亚、加蓬、冈比亚、伊拉克、约旦、科特迪瓦、马里、毛里塔尼亚、沙特阿拉伯、塞内加尔、多哥、阿联酋、也门的重要相关人士前来观展。?突出摩洛哥电力展的四个关键主题:电力、照明、电

  http://blog.alighting.cn/kang1987/archive/2011/2/24/135658.html2011/2/24 17:04:00

led市场规模持续扩大

重兵集结下,led制程、材料、量测仪器一应俱全,以满足未来新兴应用的需求及挑战,在市场口径一致看好led成长趋势下,led磊晶厂前景可期,连带受惠的还包括led量测

  http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2011/3/21/144293.html2011/3/21 10:38:00

节能照明新秀:东莞市华胜展鸿电子科技有限公司

论是关键零组件、模块乃至终端产品,为我们的客户提供技术专利的保护 东莞市华胜展鸿电子科技有限公司前身是一个传统的生产制造业,主要产品出口国外,受美国次贷危机的影响,美国消费者消

  http://blog.alighting.cn/surpius/archive/2011/5/10/177710.html2011/5/10 11:32:00

led照明及led显示屏发展历程解读

、黄、绿等多种单色led,并用于各种信号指示、标识、数码显示,逐步发展到小型led显示屏等。1991年业界采用mocvd外延生长四元系材料,开发出高亮度发光二极管;1994年在ga

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222094.html2011/6/19 23:18:00

led结构生长原理以及mocvd外延系统的介绍

-ⅴ族元素所蕴藏的潜能,表1-1为目前商品化led之材料及其外延技术,红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主,而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230341.html2011/7/20 0:17:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

发展我国led封装业的具体建议与方案

率为目标。在本文中,对发展我国led装备业提有一些具体建议方案。供网友讨论。 发展我国led封装业的具体建议 个人建议国家在支持led技术与产业发展中,把材料与工艺设备作为发展的基

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/10/1/242858.html2011/10/1 0:02:35

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

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