站内搜索
利的启动和正常地工作，现在的应急转换器都采用晶体器件使直流供电的变压器的初级绕组反复地接通和断开以获得交流电压，从而从变压器次级得到灯工作所需的较高电压，为了减少变压器的尺寸，避免音
http://blog.alighting.cn/quhua777847/archive/2011/1/18/127915.html2011/1/18 7:32:00
ccs-mocvd系统生长了inGaN/GaN mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长GaN缓冲层镓量与氨量的化学计量
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
本标准由中国机械工业联合会提出。适用于单色可见光、白光led器件光学性能测试，组件和功率器件的光学性能测试参照执行。
https://www.alighting.cn/news/20110113/109769.htm2011/1/13 16:37:53
关；低电压电气设备及配件：开关，电力供应套管，墙壁插座，连接插头，适配器，电磁起动器及其它电子技术安装产品。测量、调节和控制设备—电源半导体器件；控制和测量仪器及设备；自动保护机械和自
http://blog.alighting.cn/kang1987/archive/2011/1/13/127222.html2011/1/13 13:18:00
刀”。一开始,该技术被用于医疗设备,目前它被用于半导体和电子器件的精密微加工。该技术采用了超细、低压的水流将激光光束引导至材料表面。该加工技术的加工能力和性能与传统的干式激光器大
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127094.html2011/1/12 17:25:00
.86的黄光 led等。由于製造採用了镓、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为叁元素发光管。 而GaN(氮化镓)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127092.html2011/1/12 17:24:00
因，对后期器件加工和应用带来很多不便，sic同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处，而价格相对便宜的si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势，因此si衬底GaN基le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
压侵入，造成电源毁坏、这是外部防雷系统无法保证的。这两者之间是相辅相成的，互为补充。内部防雷系统在很多器件上例如外壳、进出保护区的电缆、金属管道等都要连接外部防雷系统或者设置过压保护
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127084.html2011/1/12 17:21:00
点我们可做一些针对性的静电防范措施。 → 静电在led显示屏生产过程中的危害 如果在生产任何环节上忽视防静电，它将会引起电子设备失灵甚至使其损坏。 当半导体器件单
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127080.html2011/1/12 17:19:00
采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等GaN类半导体材料的led芯片，则使用蓝宝石、sic和si等作为基片，如果是红色led等采
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127074.html2011/1/12 17:16:00
