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芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

发挥led的优势开发在室内照明中的应用

像led器件内部的自吸收强烈,也没有光从固体材料表面反射的损失那样大。但是气体放电中阴极区的存在是led光效能够超越传统光源的重要原因之一。气体放电光源由于阴极区的存在,大功率长放

  http://blog.alighting.cn/144149/archive/2012/6/18/278929.html2012/6/18 15:45:31

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

led光源在美术馆建筑化照明中的应用

化照明相结合的基本原则,找到适宜的整合方式,提高展示环境的格调,塑造具有个性和现代感,令人愉悦,节能环保的绿色光环境。关键词:led;建筑化照明;   1 前言   以绿

  http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282485.html2012/7/19 10:31:00

我国大陆led显示屏市场将达241亿元人民币

上。 即便如此,目前led显示屏行业呈现僧多粥少的局面,激烈的竞争迫使厂商主动降价争抢订单。步入整合期从目前大陆led显示幕行业的竞争层面看,还处在产品竞争层面的早期, 竞争关键指标体

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/11/30/301843.html2012/11/30 22:11:21

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