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与尺寸大小关系不大，但与电极的位置有关，ｐ焊线电极远离ｎ电极的芯片２０ｍａ下的光输出功率高，正向压降也高。 关键词:ｇａｎ基led;ｉ－ｖ特性;ｐ－ｉ特性; ｇａｎ基半导体材料近
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35
基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35
像ｌｅｄ器件内部的自吸收强烈，也没有光从固体材料表面反射的损失那样大。但是气体放电中阴极区的存在是ｌｅｄ光效能够超越传统光源的重要原因之一。气体放电光源由于阴极区的存在，大功率长放
http://blog.alighting.cn/144149/archive/2012/6/18/278929.html2012/6/18 15:45:31
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16
