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两步镀膜ti/al/ti/au的n型gan欧姆接触研究

n,最后蒸镀ti(100nm)/au(1000nm)用于保护al层不被氧化。该接触电极有良好的欧姆接触特性,接触电阻率为8.8×10-5ωcm2,表面平坦、稳定、易焊线,可应用于制

  https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54

高效散热型cob_led日光灯与传统荧光灯

即大大提高性价,有利于led日光灯的大量推广应

  https://www.alighting.cn/resource/20130922/125305.htm2013/9/22 13:32:06

安森美半导体用于led灯泡等应用的ncl3008x高能效初级端稳流方案

近年来,世界上多个国家制定政策以分阶段淘汰白炽灯泡。如中国计划于2015年60w 以上普通照明用白炽灯泡全部淘汰。荧光灯及紧凑型荧光灯(cfl)的能效白炽灯高,但含剧毒物质

  https://www.alighting.cn/2013/8/1 11:27:45

详解led灯具的功率因数

该设置节能灯更严格的功率因数的指标要求,来限制led的发

  https://www.alighting.cn/resource/20130613/125523.htm2013/6/13 13:28:36

转移基板材质对si衬底gan基led芯片性能的影响

随驱动电流的变化不大,光输出在老化过程中衰减更小。铜基板芯片硅基板芯片可靠性更高,在大功率半导体照明器件中前景诱

  https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39

极性电气石衬底对zno纳米片生长的影响

面电场作用越强,zno纳米片的厚径

  https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19

硅基gan蓝光led外延材料转移前后性能

移的同侧结构相,转移后的垂直结构gan蓝光led的电学性能、发光性能和结构性能明显改善,光输出功率显著提高.垂直结构led的gan层受到的张应力同侧结构led

  https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12

gan基功率led电应力老化早期的退化特性

d的反向漏电也最小、光通量最大,随后绿光led的反向漏电增加较快且光通量衰减较快。把热退火效应和电应力下缺陷的产生分别看成正负加速因子,绿光led的负加速因子的增加速度蓝光led

  https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42

led背光源用于场序彩色lcd的研究

下形成的彩色对人眼的视觉影响;研究在不同场频和不同占空情况下,led的发光特性曲线,确定白平衡情况下led三基色的等量关系;研究led三基色形成的白光光谱与三基色各光谱之间的关

  https://www.alighting.cn/2013/4/3 10:13:43

照明用大功率无桥led驱动电路输入电流谐波分析

分,电路输入电流的总谐波含量thd随最小输入电流脉冲宽度t0(min)增大而上升,随电路的输出直流电压与输入交流电压有效值的uo/ui的增大而下降.并指出在电路的输入端需要一个滤波电

  https://www.alighting.cn/resource/20130315/125880.htm2013/3/15 10:09:58

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