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三星电子预付1.06亿，向三安子公司采购显示屏LED芯片

今日早间，三安光电(下称“公司”)发布公告，公司全资子公司厦门三安光电有限公司(下称“厦门三安”)于2018年2月5日与samsung electronics co., ltd.(

https://www.alighting.cn/news/20180206/155124.htm2018/2/6 10:09:36

华灿拟募资不超21亿，用于mini/micro LED开发等项目

据公告显示，公司本次发行证券选择的品种为向特定对象非公开发行股票。发行股票的种类为境内上市人民币普通股(a股)，每股面值为人民币1.00元。

https://www.alighting.cn/news/20181015/158678.htm2018/10/15 10:03:59

LED路灯的技术要点分析

　目前市场上的LED路灯，其光源部分主要分两种方式：单颗1 w大功率白光LED阵列和大功率集成封装光源模组。尽管LED路灯的国家标准还没有出台，但LED路灯的配光在参考传统光源道路照

http://blog.alighting.cn/bolunteled/archive/2010/7/22/57141.html2010/7/22 14:37:00

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

LED未来10年发展不可估量钱途光明

LED显示屏在北京奥运会开幕式上的出色表现，更是极大的带动了LED照明产业的快速成长。目前LED景观照明的地区性标准已有制定，行业正在规范之中,它的节能、环保和美化生活的优点正

http://blog.alighting.cn/isbelle/archive/2010/9/16/97239.html2010/9/16 15:10:00

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