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大功率led的几个劣势

仅是指发光体本身不是灼热体,但是大电流在半导体材料上产生的电阻热还是会使发光管产生较高的温度,而由半导体材料制作的发光二极体不耐高温,过热会使其使用寿命大幅度降低,用散热器散热增

  http://blog.alighting.cn/fsafasdfa/archive/2011/4/18/166036.html2011/4/18 22:56:00

大功率led照明的缺点主要有哪些?

管是冷光源仅仅是指发光体本身不是灼热体,但是大电流在半导体材料上产生的电阻热还是会使发光管产生较高的温度,而由半导体材料制作的发光二极体不耐高温,过热会使其使用寿命大幅度降低,用散热

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222229.html2011/6/20 22:11:00

海通化工助兴“asia fpd 2010”oled展区

料(htm)以及有机小分子发光材料(him,htm and sm-oled containing dihenylamine and triphenylamine series)等等。

  http://blog.alighting.cn/shengguo/archive/2010/8/11/83232.html2010/8/11 15:41:00

王海波——2014、2015年阿拉丁神灯奖提名委员个人简介

究,重点研究方向为稀土发光材料、电光源材料、白光led封装和制造。近年先后主持或参加成国家“973”、国家“863”、 国家科技支撑计划项目、国家攻关项目、中俄总理会晤科技项目、江

  http://blog.alighting.cn/169607/archive/2013/11/14/329206.html2013/11/14 17:27:21

led芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232833.html2011/8/19 1:07:00

led芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233025.html2011/8/19 23:25:00

led芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258547.html2011/12/19 10:59:07

led芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258557.html2011/12/19 10:59:35

led芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10

led芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261521.html2012/1/8 21:47:42

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