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led芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261521.html2012/1/8 21:47:42

led芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42

led芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

led芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

led芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

led芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19

led芯片的技术发展状况

发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01

关于白光led的两种做法

随着发光材料的开发和半导体制作工艺的改进,白光led的发展迅速,它已经趋向取代传统的照明,白光led的光效已经由以前的20lm/w上升到了45lm/w.由于白光led具有的长寿命

  http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114817.html2010/11/17 22:54:00

关于白光led的两种做法

随着发光材料的开发和半导体制作工艺的改进,白光led的发展迅速,它已经趋向取代传统的照明,白光led的光效已经由以前的20lm/w上升到了45lm/w.由于白光led具有的长寿命

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261391.html2012/1/8 20:27:29

led基础理论知识分析

μm以内产生。理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度eg有关,即λ≈1240/eg(mm)式中eg的单位为电子伏特(ev)。若能产生可见光(波长在38

  http://blog.alighting.cn/meifuhui/archive/2008/7/4/55.html2008/7/4 22:53:00

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