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.86的黄光 led等。由於氧造?裼昧随?、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN(氮化??)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led,被称
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229921.html2011/7/17 23:17:00
镓铝砷(gaalas)或砷化镓(gaas)、氮化镓(GaN)等材料组成,其内部结构具有单向导电性。3)、晶片的结构：焊单线正极性(p/n结构)晶片,双线晶片。晶片的尺寸单位：mi
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230084.html2011/7/18 23:24:00
“thin GaN”高亮度led。原理是在inGaN层上形成金属膜，之后再剥离蓝宝石，这样，金属膜就会产生映像的效果而获得更多的光线取出，根据osram的资料显示，这样的结构可以获得75
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230298.html2011/7/19 23:50:00
d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232817.html2011/8/19 0:28:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258572.html2011/12/19 11:01:04
、大屏幕显示器、信号灯和液晶屏幕背光源等领域。近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，le
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261393.html2012/1/8 20:27:34
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261495.html2012/1/8 21:46:02
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262668.html2012/1/29 0:36:52
年外延芯片价格压力仍将持续。 2011年，大陆GaN芯片产能增长达到12000kk/月，但产能利用不足50%，全年产量仅为710亿颗，但国产化率达到70%以上。同时，大陆芯片已经通
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/2/6/263674.html2012/2/6 15:40:31
2年外延芯片价格压力仍将持续。 2011年，国内GaN芯片产能增长达到12000kk/月，但产能利用不足50%，全年产量仅为710亿颗，但国产化率达到70%以上。同时，国内芯片已
http://blog.alighting.cn/110131/archive/2012/2/15/264169.html2012/2/15 16:28:24
