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界范围内GaN基led产业发展来看，前五大公司美国cree,德国osram，荷兰philips，日本nichia以及toyodagosei等五家公司拥有80%～90%的原创性发明专

http://blog.alighting.cn/112017/archive/2012/2/16/264206.html2012/2/16 11:20:52

底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓

http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267444.html2012/3/10 10:14:59

底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓

http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267555.html2012/3/12 19:16:18

备中的指示灯。直到20世纪90年代中期，在取得了第三代半导体材料GaN的技术突破以及蓝、绿、白光发光二极管问世后，led已能发出各种颜色的光束，尤其是高亮度白光led的出现具有划时

http://blog.alighting.cn/xiongzhiqiang/archive/2012/3/16/268406.html2012/3/16 9:49:29

d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271770.html2012/4/10 23:32:26

d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目

http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274751.html2012/5/16 21:29:47

来，日本“21世纪光计划”、美国“下一代照明计划”、欧盟“彩虹计划”、韩国“GaN半导体发光计划”等政府措施纷纷出台。欧盟、加拿大、澳大利亚和美国等分别将从2009、2010和202

http://blog.alighting.cn/144149/archive/2012/6/18/278932.html2012/6/18 15:47:32

场供过于求，在竞争激烈的同时，价格急剧下滑，这样一来将进一步提高led照明市场的渗透率。　　当然，日本在GaN蓝、绿光led等领域突破了一批产业关键和共性技术并在世界范围内设立了专利

http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/7/11/281414.html2012/7/11 14:05:37

底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓

http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282564.html2012/7/19 10:58:17

场供过于求，在竞争激烈的同时，价格急剧下滑，这样一来将进一步提高led照明市场的渗透率。　　当然，日本在GaN蓝、绿光led等领域突破了一批产业关键和共性技术并在世界范围内设立了专利

http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282701.html2012/7/19 11:47:19