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采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan2led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan2led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27
向分布。探讨了该分布与晶体生长过程及晶体质量的关系,测量分析结果可为生长工艺参数的优化提供参考。还采用主扩散模型对测量结果进行高斯拟合,得出了高温时(1030℃)硅在gan中的扩散系
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
门晶体管技术（台积电计划14nm节点启用类似的finfet技术）的芯片产品。而台积电这次推出采用3-d芯片堆叠技术半导体芯片产品的时间点则与其非常靠近。 虽然台积电在与inte
http://blog.alighting.cn/heriver/archive/2011/7/7/228960.html2011/7/7 16:56:00
体并非作为导体使用，也不是作为绝缘体使用，二十主要被制成具有神奇功效的半导体材料元器件。电子设备中的许多电子元器件都是用半导体材料制成的，如初见的晶体三极管，晶体二极管和集成电路
http://blog.alighting.cn/88/archive/2012/10/18/293482.html2012/10/18 14:04:22
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293810.html2012/10/19 22:31:02
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293974.html2012/10/19 22:35:18
明基板转换制程、减少量子井光线吸收的设计、增加光子萃取率的细微结构、提升电流分布均匀度与具高量子效率搭配低阻抗的量子井结构
https://www.alighting.cn/pingce/20111219/122737.htm2011/12/19 16:31:23
节，本身又耐冲击、抗振动、寿命长(10万小时)。制造led的材料不同，可以产生具有不同能量的光子，藉此可以控制led所发出光的波长，也就是光谱或颜
https://www.alighting.cn/resource/2008512/V15569.htm2008/5/12 10:34:49
b）的oled/led照明技术以及来自rensselaer理工学院的分散光子捕捉（scattered photon extraction）技术。cyberlux希望最终能证明某种透镜的光转化效率
https://www.alighting.cn/news/2007528/V2462.htm2007/5/28 15:57:57
