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阳能光伏电池的发电原理是光生伏特效应，对晶体硅太阳能电池来说，开路电压的典型数值为0.50.6v,通过光照在界面层产生的电子一空穴对越多，形成的电流越大。界面层吸收的光能越多，同
http://blog.alighting.cn/something/archive/2010/9/9/95839.html2010/9/9 16:46:00
要方式之一。 太阳能光伏电池的发电原理是光生伏特效应，对晶体硅太阳能电池来说，开路电压的典型数值为0.5 0.6 v,通过光照在界面层产生的电子一空穴对越多，形成的电流越大。界面
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/107108.html2010/10/15 17:01:00
采用激光加热基座法制备端部cr3+离子掺杂的蓝宝石单晶光纤,得到一体型蓝宝石单晶光纤荧光温度传感头.对所制备的荧光温度传感头的荧光温度特性进行了实验研究.结果表明,随着温度升高c
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127232.htm2011/8/30 13:42:34
led天花灯的优点：1.采用集成,多单晶,多单晶封装,光效好,散热快；2.拥有专利散热处理技术,解决了led灯最大的技术难点；3.采用独有的恒流源控制技术,有效的控制光源使用寿
http://blog.alighting.cn/hbyled/archive/2011/3/21/144351.html2011/3/21 16:24:00
5亿美元，比2001提增长了40%，其中多晶硅太阳电池占51.6%，单晶硅太阳电池占36.4%，非晶硅太阳电池占6.4 % 。据报导 bp solar公司一项已准备应用于批量生
http://blog.alighting.cn/1136/archive/2007/11/26/8199.html2007/11/26 19:28:00
将所有物质融化后再长成单晶的硅晶柱，以下将对所有晶柱长成制程做介绍： 长晶主要程式：1、融化(meltdown) 此过程是将置放于石英坩锅内的块状复晶硅加热制高于摄氏1420度的融
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2010/8/18/91272.html2010/8/18 20:29:00
n膜出现龟裂，晶格常数差会在gan外延层中造成高的位错密度；另外si衬底led还可能因为si与gan之间有0.5 v的异质势垒而使开启电压升高以及晶体完整性差造成p型掺杂效率低，导
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
膜出现龟裂，晶格常数差会在gan外延层中造成高的位错密度;另外si衬底led还可能因为si与gan之间有0.5v的异质势垒而使开启电压升高以及晶体完整性差造成p型掺杂效率低，导致串
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
却是所有电子工业的基矗硅晶柱的长成,首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中,并加入预先设定好的金属物质,使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质,接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
、si、zno衬底还处于研发阶段,离产业化还有一段距离。氮化镓：用于gan生长的最理想衬底是gan单晶材料,可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
