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创意图形系列路灯，为南京工业大学韩东阳 徐娜 曹鑫雨2017神灯奖申报设计类产品。
https://www.alighting.cn/pingce/20170408/149707.htm2017/4/8 13:24:30
4英寸氮化镓自支撑衬底，为东莞市中镓半导体科技有限公司2019神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20190326/161048.htm2019/3/26 11:23:28
据外媒报道，武汉大学研究者开发出了在蓝宝石衬底上生长高质量ain（氮化铝）薄膜的方法。
https://www.alighting.cn/news/20200424/168528.htm2020/4/24 9:35:47
gan/alxga1-xn超晶格插入层技术是释放应力和减少alxga1-xn薄膜中缺陷的有效方法。研究了gan/alxga1-xn超晶格插入层对gan/蓝宝石上alxga1-xn外
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127210.htm2011/9/2 17:06:01
采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126124.htm2013/1/23 14:41:54
strategy analytics 发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓(si gaas) 外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结，2008年半绝缘砷化镓(si gaa
https://www.alighting.cn/news/20090806/92793.htm2009/8/6 0:00:00
y，pssa）是一种新型衬底，采用此衬底可大幅提高铟氮化镓、铝氮化镓（ingan/algan）uv led的效
https://www.alighting.cn/news/20200115/166190.htm2020/1/15 9:42:43
电性能进行了研究。实验结果表明:sic缓冲层改善了zno薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是sic作为柔性衬底能够减少zno与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
根据公开资料统计，仅2011年1月至7月，我国led行业计划新增投资总额1256.18亿元，其中超过40%的资金是在多个产业环节投资，甚至是进行全产业链投资;上游的衬底和外延芯
https://www.alighting.cn/news/20110916/90159.htm2011/9/16 17:30:31
1月24日，由中国半导体照明工程研发及产业联盟主办，由中科院半导体照明研发中心承办的“半导体照明前沿关键技术培训研讨会”在中国科学院半导体研究所学术会议中心胜利召开。
https://www.alighting.cn/news/20080125/102840.htm2008/1/25 0:00:00
