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位较好的符合，表明了在多量子阱发光二极管中由于inn和GaN相分离而形成的富in类量子点结构，主导着inGaN基发光二极管发光波长，体现了inGaN基发光二极管量子点发光的本质。同
https://www.alighting.cn/resource/2009911/V936.htm2009/9/11 17:27:36
针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题，蓝宝石和GaN存在着17%的晶格不匹配，直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下，大部分光被限制在led芯片
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14
采用了有限元方法建立了GaN基倒桩led芯片的三维热学模型，并对其温度分布进行模拟，比较了再不同凸点分布，不同粘结层材料与厚度、不同蓝宝石衬底厚度及蓝宝石图形化下的倒装芯片温度分
https://www.alighting.cn/resource/20141126/124009.htm2014/11/26 15:05:31
为了降低si衬底GaN基led的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
唯首尔半导体以封装大厂身份积极加入GaN同质外延阵营，或对市场构成强烈的冲击。首尔半导体长期受制于其外延芯片产能限制，较大部分芯片资源来自集团外部，因此成本不具竞争力，在韩系三巨
https://www.alighting.cn/news/20120710/113328.htm2012/7/10 10:18:36
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28
经过2010年60% 的高速增长，ims research认为2011年的GaN led市场趋于平缓，仅增长1% 至87亿美金。主要原因有：占据 60% GaN led营收的背
https://www.alighting.cn/news/20110915/90303.htm2011/9/15 10:59:49
采用温梯法生长了非极性GaN外延衬底r(012)面蓝宝石,使用化学机械抛光加工衬底表面,对衬底的结晶质量、光学性能和加工质量进行了研究.结果显示r面蓝宝石衬底基本性能参数如下
https://www.alighting.cn/resource/20110901/127216.htm2011/9/1 14:07:02
对nanoGaN的收购将帮助iqe加快先进的蓝光/绿光半导体激光器和固态照明产品的上市步伐。
https://www.alighting.cn/news/20091010/116607.htm2009/10/10 0:00:00
采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型GaN.通过原子力显微镜观察到n型GaN均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN表
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02
