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经过2010年60% 的高速增长，ims research认为2011年的GaN led市场趋于平缓，仅增长1% 至87亿美金。主要原因有：占据 60% GaN led营收的背
https://www.alighting.cn/news/20110915/90303.htm2011/9/15 10:59:49
采用温梯法生长了非极性GaN外延衬底r(012)面蓝宝石,使用化学机械抛光加工衬底表面,对衬底的结晶质量、光学性能和加工质量进行了研究.结果显示r面蓝宝石衬底基本性能参数如下
https://www.alighting.cn/resource/20110901/127216.htm2011/9/1 14:07:02
对nanoGaN的收购将帮助iqe加快先进的蓝光/绿光半导体激光器和固态照明产品的上市步伐。
https://www.alighting.cn/news/20091010/116607.htm2009/10/10 0:00:00
采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型GaN.通过原子力显微镜观察到n型GaN均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN表
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展，本文主要介绍了提高GaN 基led 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
本工作对比研究了蓝宝石图形衬底(pss)和平面衬底(non-pss)上制备GaN基45mil功率型led芯片的光电特性。相比较平面衬底，在pss衬底上制备的大功率芯片的发光效率提
https://www.alighting.cn/resource/20130305/125961.htm2013/3/5 10:44:44
比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划,目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本，采用大直径的硅基氮化鎵(GaN-on-si)，并开发高效率、大功率白光led，致力于推动氮化
https://www.alighting.cn/news/2009721/V20310.htm2009/7/21 11:27:11
镓(GaN)和铟氮化稼(inGaN)的是最具有商业运用价值的led灯资料之一。 无极灯 全球led照明疾速开展，将会股动镓和铟需要的疾速增长，也会股动越来越多的公司和自己重视铟和
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/5/322838.html2013/8/5 14:38:28
薄化的功效是为了减少氮化物半导体架构中的残余压应力(residual compressive stress)，这种应力在led架构中对降低的压电电场有撞击效应。氮化镓和蓝宝石之
https://www.alighting.cn/resource/20140321/124752.htm2014/3/21 11:55:15
伊利诺大学香槟分校研究人员发展出一种新的方法，提升绿光led亮度并且提高其效率。
https://www.alighting.cn/pingce/20160803/142501.htm2016/8/3 9:46:58
