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4英寸氮化镓自支撑衬——2019神灯奖申报技术

4英寸氮化镓自支撑衬,为东莞市中镓半导体科技有限公司2019神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20190326/161048.htm2019/3/26 11:23:28

联发科技有望于2009年年与微软签署许可协议

联发科技(mediatek)表示,他们仍在就智能手机平台许可事宜与微软举行会谈,并有望于2009年年与微软签署一份许可协议。

  https://www.alighting.cn/news/20091126/118949.htm2009/11/26 0:00:00

关乎uvc led!研究发现蓝宝石衬上生长高质量ain薄膜的方法

据外媒报道,武汉大学研究者开发出了在蓝宝石衬上生长高质量ain(氮化铝)薄膜的方法。

  https://www.alighting.cn/news/20200424/168528.htm2020/4/24 9:35:47

采用mocvd方法在gaas衬上生长zno(002)和zno(100)薄膜

采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬表面处理条件和生长温度下,在gaas衬上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10

  https://www.alighting.cn/resource/20130123/126124.htm2013/1/23 14:41:54

砷化镓外延衬市场规模将超过4亿美元

strategy analytics 发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓(si gaas) 外延衬市场预测2008-2013”。报告总结,2008年半绝缘砷化镓(si gaa

  https://www.alighting.cn/news/20090806/92793.htm2009/8/6 0:00:00

新发现:新型衬pssa可显著提高algan uv led的效率

y,pssa)是一种新型衬,采用此衬可大幅提高铟氮化镓、铝氮化镓(ingan/algan)uv led的效

  https://www.alighting.cn/news/20200115/166190.htm2020/1/15 9:42:43

明年前led照明将在公共领域普及

汕头市将在明年前普及公共领域led照明,包括城市道路、公共场所、政府机关、国有企事业单位等财政或国有资本投资建设的照明工程领域。对以上领域新建照明工程一律采用led路灯、庭院

  http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2013/5/22/317766.html2013/5/22 16:30:35

牺牲ni退火对硅衬gan基发光二极管p型接触影响

本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬gan基led薄膜p型欧姆接触的影响,在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。

  https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34

晶能光电宣布硅衬大功率led通过lm80测试

近期,晶能光电宣布其硅衬大功率led芯片系列已经通过了6,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试,公司现可根据需要提供lm80测试数据。

  https://www.alighting.cn/news/20131016/n241757471.htm2013/10/16 8:58:15

tdi推出用于制造led的新氮化铟镓衬(图)

tdi公司,复合氮化物半导体材料领先开发商和供应商,宣布推出世界首个氮化铟镓衬材料。氮化铟镓是蓝,绿和白光led和蓝激光管生产的主要复合半导体材料。

  https://www.alighting.cn/news/2007821/V8265.htm2007/8/21 11:29:42

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