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、以及 薄膜陶瓷基板三种，在传统高功率led元件，多以厚膜或低温共烧陶瓷基板作为晶粒散热基 板，再以打金线方式将led晶粒与陶瓷基板结合。 如前言所述，此金线连结限制了热量沿电
http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275037.html2012/5/20 20:21:18
断改进，如利用不同的电极设计控制电流密度，利用ito薄膜技术令通过led的电流能平均分布等，使led芯片在结构上都尽可能产生最多的光子。再运用各种不同方法去抽出led发出的每一粒光
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274781.html2012/5/16 21:31:22
体材料大致可分为小分子器件和高分子器件（ pled ）两种。小分子 oled 技术发展的较早，因而技术也较为成熟。高分子器件（ pled ）的发展始于 1990 年，由于聚合物可以采
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274775.html2012/5/16 21:31:05
战来自于热处理议题。这是因为在高热下，晶格会产生振动，进而造成结构上的改变（如回馈回路变成正向的），这将降低发 光度，甚至令led无法使用，也会对交错连结的封入聚合
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274758.html2012/5/16 21:30:13
m波长时为0.2db/m,而200μm hcs光纤在650mm波长典型损耗值仅为8db/km,在820nm波长时更少。hcs光纤的核心是石英玻璃,包层是专利的高强度聚合物,不仅增
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274744.html2012/5/16 21:29:26
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274728.html2012/5/16 21:28:43
弗朗霍夫应用固体物理研究所则为该装置提供了氮化镓微型led，该微型led面积仅有0.01平方毫米厚度仅有几微米。未来其面临的一项共同挑战是如何将聚合物工程材料和氮化镓led进行集
https://www.alighting.cn/pingce/20120428/122288.htm2012/4/28 9:45:30
于包括芯片结构、表面粗化处理和多量子阱结构设计在内的一系列技术改进，led在光效方面实现了巨大突破。薄膜芯片技术是超亮led芯片生产中的核心技术，能够减少各侧面的光输出损耗，并能借
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/4/19/272395.html2012/4/19 9:12:24
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271792.html2012/4/10 23:33:55
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271777.html2012/4/10 23:33:00
