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led芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10

led的应用优势及存在问题

须要面对的技术难题。而要真正开拓出一个全新的半导体照明时代,我们还要从以下几个方面努力攻克技术难题以及进一步规范半导体照明市场。3.1、led芯片芯片是led的核心,它的内部量子

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261463.html2012/1/8 21:39:03

led结温产生的根本原因及处理对策

小led温升效应的主要方法,一是设法提高元件的电光转换效率(又称外量子效率),使尽可能多的输入功率转变成光能,另一个重要的途径是设法提高元件的热散失能力,使结温产生的热,通过各种途径散

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261458.html2012/1/8 21:36:25

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18

关于白光led的两种做法

量子效率越高.由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近pn结面数μm以内产生. 图1-1 led的发光原理 1.3 led的特点和分类 1.3.1 led的特点 led和普

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261391.html2012/1/8 20:27:29

led生产中的六种技术

除gaas衬底,代之于全透明的gap晶体。由于芯片内除去了衬底吸收区,使量子效率从4%提升到了25-30%。为进一步减小电极区的吸收,有人将这种透明衬底型的ingaalp器件制作

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40

epistar lab发表具世界最高效率216lm/w之暖白光高压芯片组合

明基板转换制程、减少量子井光线吸收的设计、增加光子萃取率的细微结构、提升电流分布均匀度与具高量子效率搭配低阻抗的量子井结构

  https://www.alighting.cn/pingce/20111219/122737.htm2011/12/19 16:31:23

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24

led结温产生的根本原因及处理对策

小led温升效应的主要方法,一是设法提高元件的电光转换效率(又称外量子效率),使尽可能多的输入功率转变成光能,另一个重要的途径是设法提高元件的热散失能力,使结温产生的热,通过各种途径散

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258613.html2011/12/19 11:09:16

led的应用优势及存在问题

须要面对的技术难题。而要真正开拓出一个全新的半导体照明时代,我们还要从以下几个方面努力攻克技术难题以及进一步规范半导体照明市场。3.1、led芯片芯片是led的核心,它的内部量子

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258606.html2011/12/19 11:02:35

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