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借用原子吸收光谱仪的光学系统，在火焰燃烧头的上方，放置一个简单的比色池装置，以照明用高亮度发光二极管(led)代替原子吸收的空心阴极灯，设计了一个分光光度计。以经典的分光光度实验
https://www.alighting.cn/resource/2012/3/30/163945_17.htm2012/3/30 16:39:45
介绍了一种基于fpga 的驱动方案，为所研制的基于微晶硅tft 基板的17.8cm(7in)有源矩阵有机发光显示器(amoled)提供驱动。
https://www.alighting.cn/resource/20140718/124433.htm2014/7/18 10:57:47
本文为广西大学王希天先生关于《光效、电功效率、功率因数》的演讲精要，系统性的讲解了发光效率，电功效率与功率因数，推荐下载阅读。
https://www.alighting.cn/resource/20120416/126609.htm2012/4/16 12:11:25
利用溶胶-凝胶法,在普通载玻片上使用旋转涂膜技术制备了具有c轴择优取向生长的na-mg共掺杂的zno薄膜。用xrd、sem、光致发光(pl)及透射光谱对薄膜样品进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127006.htm2011/10/18 14:46:03
半导体发光二极管作为新型的固体照明器件，寿命长达5~10万h，它不仅耗电少、亮度高，而且体积小、抗振动。各种白色、红色、蓝色、绿色、黄色的半导体led发光二极管产品如雨后春笋纷
https://www.alighting.cn/resource/2013/8/26/115010_73.htm2013/8/26 11:50:10
出光率是影响led发光效率的重要因素之一，优化led出光率可以提高led的器件发光效率。文章利用tracepro软件模拟分析了封装结构对led出光率的影响，分析结果表明：封装腔
https://www.alighting.cn/resource/20140120/124890.htm2014/1/20 14:01:22
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
量为145lm，发光效率为134lm/w。与输入电能相对应的光输出的效率（wpe:wall plug efficiency）为39.5
https://www.alighting.cn/resource/20071001/128535.htm2007/10/1 0:00:00
讨论led的偏置电阻和发光亮度对led背光源亮度均匀性的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20120310/126684.htm2012/3/10 15:43:57
本文的主要研究内容涉及图形化衬底对gan基led发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的gan图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了gan
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
