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浅析:led封装之陶瓷cob技术

胶的技术,有效的将ic制造过程中的封装步骤转移到电路板上直接组

  https://www.alighting.cn/resource/20110826/127251.htm2011/8/26 9:56:45

热超声倒装焊在制作大功率gan

测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最达53.93 g/bump,焊接后的gan 绿光led 在350 ma 工作电流下正向电压为3.0 v。将热超声倒装焊接技术用于制

  https://www.alighting.cn/resource/20150302/123551.htm2015/3/2 11:34:51

鸿利光电:面对csp 封装如何革命?

雷利宁表示,“它适合更大的电流、体积小,实现了更的流明密度;省略了打线的制程,产品的可靠性提升;封装密度、生产效率;最好的一点是应用比较灵活,可以自由地进行组合。”

  https://www.alighting.cn/news/20150616/130165.htm2015/6/16 9:39:31

硅衬底灯饰led芯片主要制造工艺解析

目前国际上商品化的ganled均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,sic同样存在硬度且成本昂

  https://www.alighting.cn/2013/7/8 16:45:37

功率led的封装板的种类分析

长久以来,显示应用一直是led的主要诉求,对于led的散热性要求不甚的情况下,led多利用传统树脂板进行封装。  2000年以后,随led辉度化与效率化技术发展,再加上蓝

  http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115030.html2010/11/18 16:35:00

安华面向固态照明应用推出asmt-ax00led

封装设计,具备宽广视角以及温和电流处理能力,并提供有多种不同色彩输出选择,非常适合建筑、外观、零售显示、装饰和庭园照明等应

  https://www.alighting.cn/news/20090109/120541.htm2009/1/9 0:00:00

晶能光电推出光效超120lm/w硅大功率led芯片

晶能光电此次共推出包含28 *28、35*35、45*45和55 *55在内的四款硅大功率芯片,发光效率已超过120lm/w。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122391.htm2012/6/14 10:06:35

aixtron推出新款aix g5+矽氮化镓mocvd设备

aixtron近日推出最新产品aix g5+,为其aix g5行星式反应器平台提供5x200 mm(8吋) 矽氮化镓生长专用设备,可一次处理5片8吋晶圆。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120725/122453.htm2012/7/25 9:45:19

陶氏化学于韩国设的三甲镓(tmg)新厂动工兴建

美国化工业龙头陶氏化学(dow chemical co.)子公司dow electronic materials宣布,其位于南韩天安(cheonan)的三甲镓(tmg)新厂已

  https://www.alighting.cn/news/20101104/107836.htm2010/11/4 0:00:00

led封装结构对出光率的影响

体的形状与出光率关系不大,而封装腔体的张角、封装腔体顶面的凹凸性与出光率有较大关系,另外出光率还与腔体的度、封装腔体的反射率、腔体的母线均相关。总之led封装结构会影响led出光

  https://www.alighting.cn/resource/2013/3/20/172519_66.htm2013/3/20 17:25:19

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