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在863计划新材料领域“半导体照明工程”重大项目的支持下，近期山东大学晶体材料国家重点实验室徐现刚教授领导的研究小组承担的“sic单晶衬底制备”课题（课题编号：2006aa03
https://www.alighting.cn/resource/20070520/128497.htm2007/5/20 0:00:00
2007年12月11日，道康宁化合物半导体解决方案（dccss）业务部获得美国海军研究室(office of naval research)420万美元的合同开发sic材料技术。
https://www.alighting.cn/resource/20071213/128566.htm2007/12/13 0:00:00
通常led与荧光体组合时，典型方法是将荧光体设于led附近，主要原因是希望荧光体能高效率的将led产生的光线作波长转换，而将荧光体设于光线放射密度较高的区域，对波长转换而言是最简
https://www.alighting.cn/resource/20121211/126264.htm2012/12/11 13:55:19
导读： 效率下降是阻碍GaN基led在高电流密度这一重要的新兴应用领域大施拳脚的主要原因。但rpi的研究人员表示，通过采用极性匹配的外延结构可以克服这一缺
https://www.alighting.cn/resource/2011/11/1/10522_44.htm2011/11/1 10:52:02
及成果高峰论坛”是展会的同期重点活动之一，各路专家聚首一堂，带来世界各地照明产业最先进的技术及成果，广东亚一照明科技有限公司借此契机，以“中国led半导体照
https://www.alighting.cn/resource/2009612/V877.htm2009/6/12 11:29:21
在设计led显示屏屏体大小时，有三个重要的因素：(1) 显示内容的需要；(2) 场地空间条件；(3) led显示屏单元模板尺寸（室内屏）或象素大小（户外屏）。
https://www.alighting.cn/resource/20110704/127464.htm2011/7/4 17:10:41
为了在p-GaN上获得低电阻的欧姆接触，人们对具有高反射系数和平滑表面形貌优点的金属蒸镀方法进行了研究。
https://www.alighting.cn/resource/200858/V15509.htm2008/5/8 10:55:47
、hg圆柱体汞
https://www.alighting.cn/resource/200837/V14277.htm2008/3/7 11:14:03
子体技术作为解决问题的有效途径正随之发展起
https://www.alighting.cn/resource/2012/1/15/173036_17.htm2012/1/15 17:30:36
通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考虑了
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:28:20
