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GaN基高压交流110v-led芯片，为湘能华磊光电股份有限公司2019神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20190129/160228.htm2019/1/29 13:37:37
GaN led市场中，照明的份额预计会从2011年的21%升为2016年的49%；照明led收入预计增长超过300%。
https://www.alighting.cn/news/201221/n074637204.htm2012/2/1 9:55:47
日本丰田合成公司在3英寸的蓝宝石底板上形成了非极性面(m面)GaN结晶，成功采用该结晶实现了led的发光。
https://www.alighting.cn/news/2009118/V21611.htm2009/11/8 15:51:41
业格局，世界主要厂商分布在美国、日本、欧盟等地，拥有GaN基蓝、绿光led、白光技术方面的核心专利，在产业规模上也具有优
https://www.alighting.cn/news/20090731/91210.htm2009/7/31 0:00:00
相似,纳米线面密度不同。利用x射线衍射和透射电镜研究纳米线的生长取向和晶体结构,结果显示纳米线具有闪锌矿结构,生长方向〈111〉,并且具有层状孪晶结构。与inp体材料相比,纳米线的
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
GaN基led的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状n电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状n电
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40
m)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些zno薄膜在生长温度400℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
采用数值算法自洽求解poisson和schr?dinger方程,计算了alGaN势垒层的应变弛豫度对高al含量alGaN/GaN高电子迁移率晶体管(hemt)中的导带结构、电子浓
https://www.alighting.cn/resource/20110816/127305.htm2011/8/16 14:21:55
日本碍子称，开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个晶圆表面实现低缺陷密度的同时获得了无色透
https://www.alighting.cn/news/201259/n962139582.htm2012/5/9 9:04:39
日本大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学专业教授藤原康文，试制出利用GaN系半导体的红光led组件。藤原康文教授介绍，利用GaN系半导体的蓝光led组件及绿色led组件现已达
https://www.alighting.cn/news/20090708/93786.htm2009/7/8 0:00:00
