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不同基板1w硅衬底蓝光led老化性能研究

将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对

  https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00

rubicon开发出基于晶体取向的非对称晶圆工艺

蓝宝石晶圆具有肉眼可视的特殊取向。rubicon已经开发了一种工艺,制作可通过视觉或触觉检测取向的非对称晶圆。这很重要,因为led和半导体制造商采用特殊晶体取向处理蓝宝石晶圆。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130407/121856.htm2013/4/7 11:08:44

白光led用钨酸盐红色荧光粉的制备及发光特性

采用高温固相法制备了nay(wo4)2:eu3+发光材料。分别用x射线粉末衍射(xrd)、发光光谱(pl)等手段研究了发光粉的晶体结构以及发光性能。

  https://www.alighting.cn/resource/20130403/125766.htm2013/4/3 10:59:23

p层厚度对si基GaN垂直结构led出光的影响

利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p面金

  https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48

白光led用eu2+离子激活含氮铝酸盐发光粉的制备

d分析结果显示,sr3al2o6-3x/2nx与sr3al2o6的晶体结构相

  https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:54:56

激光剥离垂直结构和基于介覌光子学GaN基led

一份出自北京大学,关于《激光剥离垂直结构和基于介覌光子学GaN基led》的技术资料,现在分享给大家,欢迎下载附件。

  https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:21:00

绿色照明、ssl及蓝光危害之我见(下)

读大学的年代,真空电子管正遭遇半导体晶体管对它发起的一场革命。真空电子管的体积在50年内从300ml缩小到10ml,此步幅相当于在50年内线性尺寸减小了3倍。真空电子管代表了一种成

  http://blog.alighting.cn/1055/archive/2013/4/2/313259.html2013/4/2 15:54:03

2013年led显示屏行业或将走向成熟

来越注重产品的研发及应用的技术。led显示屏与led电子显示屏的区别在于电子显示屏是用led电子二极管,普通意义上的ld显示屏是用led晶体二极管。  根据led行业数据显

  http://blog.alighting.cn/157738/archive/2013/4/2/313244.html2013/4/2 15:18:28

万邦光电将亮相第五届香港国际春季灯饰展

2013年4月6日至4月9日,万邦光电将携晶体封装技术、360°通体发光及mcob封装技术三大独创技术产品亮相第五届香港国际春季灯饰展,展位号:1bb13&b15。欢迎业

  http://blog.alighting.cn/56721/archive/2013/4/2/313235.html2013/4/2 14:37:51

高亮度芯片面临的发展瓶颈

现缺陷、裂纹、晶片弯曲等。衬底的质量直接影响着外延层的晶体质量,从而影响光效和寿命。如果采用GaN同质衬底进行外延生长,利用非极性技术,可最大限度地减少活性层的缺陷,使得led芯

  http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21

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