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近日，从事GaN外延基板开发及销售等业务的风险企业powdec，公开开发表了利用GaN类半导体的肖特基势垒二极管(sbd)，预估2012年前量产。
https://www.alighting.cn/pingce/20101206/123155.htm2010/12/6 9:26:47
丰田中央研究所和三垦电气分别利用以称为“naflux法”的结晶成长法制成的GaN底板，试制出了GaN类肖特基势垒二极管(sbd)。
https://www.alighting.cn/news/201033/V22971.htm2010/3/3 8:40:02
1993年世界上第一只GaN基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。
https://www.alighting.cn/news/2010628/V24194.htm2010/6/28 10:21:22
采用 x 光双晶衍射仪分析了 GaN 基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成 GaN2-led 芯片 , 对分组抽取特定区域芯片封装成的 GaN2led 器件进行可靠性试验 。对
https://www.alighting.cn/news/20091221/V22250.htm2009/12/21 7:50:32
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出GaN薄膜.x射线衍射(xr
https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10
1 引言 自从1991年nichia公司的nakamura等人成功地研制出掺mg的通质结GaN蓝光led，GaN基led得到了迅速的发展。GaN基led以其寿命长、耐冲击、抗震
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
1 引言自从1991年nichia公司的nakamura等人成功地研制出掺mg的通质结GaN蓝光led，GaN基led得到了迅速的发展。GaN基led以其寿命长、耐冲击、抗震、高
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
nvidia目前主要或者说唯一的晶圆代工合作伙伴就是台积电(tsmc)，2011年底到2012年上半年困扰他们的问题就是tsmc的28nm产能不足，以致于kepler芯片出货不
https://www.alighting.cn/news/201341/n178750234.htm2013/4/1 10:36:28
根据新强光电可持续性的技术发展蓝图及leds发光效率的逐年提升，预估在二年后同样的一片8寸晶圆级leds封装即可达到100万流明的光输出。以此技术所发展的leds照明具备大量生
https://www.alighting.cn/resource/20101117/128775.htm2010/11/17 0:00:00
7月21日，国星光电发布公告，公司近日取得一项新型发明专利，并获得了由国家知识产权局颁发的专利证书，专利名称用于在晶圆级封装中暴露电极的方法及掩膜版，专利号z
https://www.alighting.cn/news/20150727/131287.htm2015/7/27 10:19:11
