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李世玮教授个人简介及2012年主要工作成就

外,他也曾经外调担任过香港纳米及先进材料研发院的技术总监。李教授的研究领域覆盖晶圆级和三维微系统封装、硅通孔和高密度互连、led封装和半导体照明技术、以及无铅焊接工艺及焊点可靠性。他

  http://blog.alighting.cn/lishiwei/archive/2013/4/25/315565.html2013/4/25 15:48:10

李世玮教授个人履历

心(http://www.fsldctr.org)的创建主任。李教授的研究领域覆盖晶圆级和三维微系统封装、硅通孔(tsv)和高密度互连、 led封装和半导体照明技术、以及无铅焊接工艺

  http://blog.alighting.cn/lishiwei/archive/2013/4/25/315564.html2013/4/25 15:46:34

李世玮

d工程技术研究开发中心主任。除此之外,他也曾经外调担任过香港纳米及先进材料研发院的技术总监。李教授的研究领域覆盖晶圆级和三维微系统封装、硅通孔和高密度互连、led封装和半导体照明技术

  http://blog.alighting.cn/lishiwei/2013/4/25 15:41:20

李允立申报阿拉丁神灯奖年度贡献人物

. fred schubert 從事有關氮化鎵(GaN)半導體之材料與元件,特別是發光二極體(led)與固態半導體照明(ssl)的研究;後隨prof. schubert轉校到壬色列理

  http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/24/315491.html2013/4/24 21:37:00

mocvd外延al_2o_3基alGaN/GaN超晶格的结构和光学特性

通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvd)的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石(al2o

  https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17

硅基GaN蓝光led外延材料转移前后性能

利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的GaN蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光led.与外延材料未转

  https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12

led生产设备将于2013年底明显增长

%,催生出了对于蚀刻pss晶圆的等离子设备的需求。现在,已经投入使用的用于制造pss的干法刻蚀设备约有280台,其中有200台是在2011年或2012年安装的。2012年估计也将维

  http://blog.alighting.cn/177777/archive/2013/4/21/315007.html2013/4/21 11:48:39

新纳晶王怀兵申报阿拉丁神灯奖年度贡献人物

导体材料氮化镓基(GaN)蓝光发光二极管(led)芯片及相关产品,王怀兵博士时任副总经理,负责关键材料外延片的研发及生产,该项目后被列为国家火炬计划、深圳市重点建设高新技术项

  http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/17/314677.html2013/4/17 14:30:05

李世玮申报阿拉丁神灯奖年度贡献人物

术总监。李教授的研究领域覆盖晶圆级和三维微系统封装、硅通孔和高密度互连、led封装和半导体照明技术、以及无铅焊接工艺及焊点可靠性。他的团队在国际学术期刊及会议论文集上发表了近三百

  http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/16/314606.html2013/4/16 16:17:47

led灯具产品十问十答

、普瑞、晶圆等厂家led设计的灯具有什么区别?a:首先是价格区别;日亚的led价格是目前市场上最贵的,台湾和国内的led是较为便宜的。第二是性能区别;并不是采用了国际大厂led的灯

  http://blog.alighting.cn/173475/archive/2013/4/16/314601.html2013/4/16 15:34:41

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