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对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mw，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mw，其外量子效率
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33
势消失。所以说，一切都是达不到照明市场要求的led技术惹得祸。 led的发光效率分为内、外量子效率，对于内量子效率基本可达80%甚至90%，而外量子效率由于无法有效放出光子，
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258472.html2011/12/19 10:55:30
子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258469.html2011/12/19 10:54:58
台湾的璨圆光电股份有限公司所添置的crius? ii-xl反应器会用于量产基于InGaN材料的高亮度蓝光led外延片制造。爱思强当地的技术支持团队将会在该公司位于台湾的技术先
https://www.alighting.cn/news/20111208/114757.htm2011/12/8 10:05:18
剂和缓冲剂的刻蚀槽中。通过工作站大批量腐蚀蓝宝石，增加高亮度led的光提取和外量子效
https://www.alighting.cn/pingce/20111207/122715.htm2011/12/7 15:49:08
与aln, inn共同构成组分三角形，可以合成三元系的InGaN，aigan，和四元系的alInGaN材料，可制成高效蓝、绿光发光二极管和激光器，并可扩展到白光，将替代人类沿用至
https://www.alighting.cn/news/20111123/85634.htm2011/11/23 14:17:08
降。透过氮化镓结构的组成，可成功的减少多重量子井的堆叠数层，单次操作时间也大幅降低，单天产出也因此大幅提升约一
https://www.alighting.cn/news/20111122/114708.htm2011/11/22 9:37:45
在led的pn结上施加正向电压时，pn结会有电流流过。电子和空穴在pn结过渡层中复合会产生光子，然而并不是每一对电子和空穴都会产生光子，由于led的pn结作为杂质半导体，存在着材料
https://www.alighting.cn/2011/11/18 16:34:31
倍，令结点电流增强4倍，从而使光电转化率提高约4.25倍。而在合适外应力的作用下，新装置的外部效率可达到7.82%，大大超过了传统led的外量子效
https://www.alighting.cn/news/20111102/100248.htm2011/11/2 9:05:30
些芯片安装到器件中，使得内量子效率接近40
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
