站内搜索
旨在取代荧光灯的直线形led照明器具。许多新涉足led照明市场的企业都上市了荧光灯型产品。荧光灯型led照明器具依其安装方法可分为3种，分别为(1)卸下原有的镇流器及逆变器，置换为
https://www.alighting.cn/resource/20130201/126067.htm2013/2/1 16:50:46
采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在Si衬底上制备出子性能良好的类金剐石膜.通过共聚焦raman光谱验证亍薄膜的类金刚石特性,用原
https://www.alighting.cn/2013/2/1 14:17:59
硅(Si)、碳化硅(Sic)以外，氧化锌(zno)和氮化镓(gan)等也是当前研究的焦点。无论是重点照明和整体照明的大功率芯片，还是用于装饰照明和一些简单辅助照明的小功率芯片，技
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309123.html2013/1/31 10:29:56
日，包括三项展览：第5届led/oled Lighting technology expo、第3届led/oled Light expo以及第1届deSign Lightin
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/30/309055.html2013/1/30 15:23:22
https://www.alighting.cn/news/2013129/n854348662.htm2013/1/29 15:52:26
使用led作为光源的白炽灯型照明器具。与白炽灯和灯泡型荧光灯一样，可安装在e26及e17等交流供电的灯口上使用。
https://www.alighting.cn/resource/20130129/126104.htm2013/1/29 9:59:13
使用脉冲激光沉积(pld)方法在石英(Sio2)和单晶Si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的zno薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量5
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42
料的led芯片，则使用蓝宝石、Sic和Si等作为基板，如果是红色led等采用alingap类材料的led芯片，则使用 gaas等作为基
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(Si)要宽3倍。利用该特性，gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
晶质量优于在Si衬底上的薄膜样品.然而,由原子力显微镜观测发现在al2o3衬底上的薄膜晶粒呈不规则形状,且有孔洞,致密性较差;而在Si衬底上的zno薄膜表面呈较规则的三维晶柱,致密性
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126126.htm2013/1/23 13:45:44
