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科锐在继今年5月份推出全SiC 1.2kv半桥式功率模块之后，宣布推出业界首款全SiC 1.7kv功率模块，采用业界标准62mm封装，继续保持在SiC功率器件技术领域的领先地
https://www.alighting.cn/pingce/20141013/121580.htm2014/10/13 9:55:57
2014年10月28日，科锐(nasdaq: cree)宣布继续扩展其屡获殊荣的SiC 1.2kv六单元(six-pack)功率模块系列，推出新型20a全SiC模块，作为5-1
https://www.alighting.cn/news/20141028/110520.htm2014/10/28 9:27:52
为了获得大功率led器件，有必要准备一个合适的大功率led面板灯芯片。国际社会通常是大功率led芯片的制造方法归纳如下。
https://www.alighting.cn/resource/20131025/125196.htm2013/10/25 10:31:08
意法半导体(st)近日与瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商norstel ab公司签署协议，收购后者55%股权。norstel公司于2005年从linkoping大学分拆出来，开
https://www.alighting.cn/news/20190213/160289.htm2019/2/13 10:00:13
赤崎和天野研究室于1992年在未使用ingan单晶的情况下，制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色led。是在p型algan和n型algan之间夹住掺杂了zn和si的gan层双异质结构
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13
赤崎和天野的研究小组，就在gan类蓝色led的开发中做出了重要贡献。赤崎在2001年获得了“应用物理学会成就奖”，获奖理由中有这样一段话：“在gan类氮化物半导体材料和元器件的研发
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124150.htm2014/10/29 14:39:18
衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。
https://www.alighting.cn/resource/20130801/125427.htm2013/8/1 15:47:37
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(
https://www.alighting.cn/resource/20130613/125521.htm2013/6/13 15:08:42
大功率led器件的生产，需要制备合适的大功率led芯片，本文主要介绍国际上制造大功率led芯片的几种主流方法。
https://www.alighting.cn/2012/5/17 10:06:37
采用固源分子束外延技术,以α-al2o3(0001)为衬底,在不同衬底温度下制备了6h-sic薄膜。利用反射式高能电子衍射、原子力显微镜、x射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进行了
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127221.htm2011/8/31 16:05:19
