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led芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261521.html2012/1/8 21:47:42

2048像素led平板显示器件的封装

国在光电显示器件的研制与生产方面与国外相比有较大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度le

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261518.html2012/1/8 21:47:33

2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261514.html2012/1/8 21:47:22

led芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10

2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261504.html2012/1/8 21:46:54

2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261503.html2012/1/8 21:46:52

基于tlc5902的led图像显示屏的驱动控制

d的驱动; ●电源电压为4.5v~5.5v; ●最大数据传输速度为15mhz; ●最大灰度极时钟频率为4 mhz; ●环境温度范围为-20℃~85℃; ●采用htqfp100脚封

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261493.html2012/1/8 21:45:59

工业级高信赖性led路灯系统评量指针

至本身导热片(tjs)温升为δt=6~15℃之间,另外led光效率与工作温度成反比性能特性,每升高10℃导致光衰5~8%并且寿命减半的严重后果,与一般宣传led可工作于100℃寿命可

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261489.html2012/1/8 21:45:52

led在隧道照明中的应用探讨

前led隧道照明产品主要的工艺路径三.led在重庆××高速公路隧道中的应用案例分析隧道在进行led节能改造以前的照明状况隧道总长1.8km,单向3车道隧道宽度15m,其中车行道数

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261484.html2012/1/8 21:45:38

全彩显示屏专用led的选择和使用

装工艺水平的高低决定了led的衰减速度。一般来说,1000小时、20毫安常温点亮试验后,红色led的衰减应小于10%,蓝、绿色led的衰减应小于15%。红、绿、蓝衰减的一致性对全

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