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LED street light学定义

是绝对温度309k。效h是源发出的通量与产生所需的电能之比,单位为[lm/w]。LED street light灯具效率hlb是照明所得到的通量与单个或多个源发出的总

  http://blog.alighting.cn/elite3c/archive/2014/10/15/359074.html2014/10/15 14:01:07

上海蓝:复合衬底方案 刷新国产LED芯片专利记录

近日在上海蓝在介质复合衬底上取得重大突破。通过缓冲层与介质衬底的组合技术,各项参数达到或超过目前最优的pss蓝宝石衬底方案,完全可以取代目前昂贵的蓝宝石pss衬底方案,并且可

  https://www.alighting.cn/news/20131217/112291.htm2013/12/17 10:25:48

晶能电硅衬底LED技术荣获国家技术发明一等奖

1月8日,国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行,由南昌大学、晶能电(江西)有限公司、中节能晶和照明有限公司共同完成的“硅衬底高效氮化镓基蓝色发二极管项目”荣获国家技

  https://www.alighting.cn/news/20160108/136207.htm2016/1/8 12:00:44

LED照明的优点与缺点

路也进一步缩水,灯珠的衰远高于预期,使用寿命可想而知。 LED易出现"黄圈"问题。由于白LED本身制造工艺上缺陷加上与反射杯或透镜的配合误差,容易造

  http://blog.alighting.cn/lightbosh/archive/2014/10/1/358535.html2014/10/1 10:37:46

LED芯片的技术发展状况

0 nm的输出功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

LED芯片的技术发展状况

0 nm的输出功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

LED芯片的技术发展状况

0 nm的输出功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

LED芯片的技术发展状况

0 nm的输出功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

LED芯片的技术发展状况

0 nm的输出功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

LED芯片的技术发展状况

0 nm的输出功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

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