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值。 科锐的市场优势关键来源于公司在有氮化镓（gan）的碳化硅（sic）方面上独一的材料专长知识，来制造芯片及成套的器件。这些芯片及成套的器件可在很小的空间里用更大的功率，同时比
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/3/1/34577.html2010/3/1 13:10:00
间，理论直达 250lm/w。而高压纳灯的发光效率是随功率增加才有所增加，因此，总体光效led 路灯比高压纳灯强。 4.led航空障碍灯的光显示色性 比高纳灯高许多，高压纳灯显示指数只
http://blog.alighting.cn/yisouliu/archive/2010/4/8/39610.html2010/4/8 10:59:00
e(molecular beam epitaxy)法是在底板上生长出单晶膜的方法,属于气相生长法的一种。在对导入高真空中的原子(分子)束进行控制的同时,照射底板,使原子沉积。可称为高精
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/4/14/40243.html2010/4/14 22:51:00
新型led显示器件有功耗低、亮度高、寿命长、尺寸小等优点，本文从led显示器件的发展简史开始，探讨了表面贴装led、汽车应用中的led和照明用led的发展趋势，对于从事显示器件开
http://blog.alighting.cn/ledwgzm/archive/2010/5/11/43817.html2010/5/11 15:32:00
成高频交流，再通过高频变压器降压，就达到缩小变压器体积和提高供电质量的目的了。要实现上述的过程，需要大功率高反压电力电子器件，30年前由于只有硅整流管和晶闸管整流式电源，使得上述技
http://blog.alighting.cn/ledsup/archive/2010/5/15/44296.html2010/5/15 9:42:00
2） 切换瞬变：如主电源系统切换时（例如补偿电容组的切换）产生的干扰；又如同一电网中，在靠近设备附近有一些较大型的开关在跳动时所形成的干扰；再如切换有谐振线路的可控硅设备；还如各种系
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/27/46321.html2010/5/27 10:18:00
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/27/46346.html2010/5/27 10:34:00
司在1998年推出的luxeon led，该封装结构的特点是采用热电分离的形式，将倒装芯片（flip chip）用硅载体直接焊在热沉上，并采用反射杯、光学透镜和柔性透明胶等新结构和新材
http://blog.alighting.cn/sunfor/archive/2010/7/27/58017.html2010/7/27 11:36:00
刻，光子晶体器件领域的研究人员能负担起这笔费用，因而被广泛采用。然而，我们必须指出一点，它的刻写速度极慢，这意味着图形的制造成本相当高。 刻写只有几个平方英寸的面积就需要几十个小
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120518.html2010/12/13 22:51:00
错密度，改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan，再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层，然后利用光刻和刻蚀技术，形成gan视窗和掩膜层
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
