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micro LED：晶能光电硅衬底gan基技术的又一重大应用机会

因具有超高解析度，高色彩饱和度，纳秒级响应时间以及低功耗等优点，micro LED成为apple、sony、facebook、samsung、lg、osram、nichia等国

https://www.alighting.cn/news/20180823/158156.htm2018/8/23 9:41:53

武汉光谷已形成完善的LED产业链

湖北省武汉市东湖高新区的光谷已初步形成了从外延片生产、芯片制备、封装到应用产品为一体的LED产业链，是中国大陆LED产业链最完善的区域之一。

https://www.alighting.cn/news/20090512/101916.htm2009/5/12 0:00:00

浅析LED静电击穿的现象及原理

企业选用抗静电指标较高的LED(芯片)，将能彻底解决你的静电带来LED的漏电、死灯等品质事故，因为抗静电高的LED,它能适应各种环境，例如LED抗静电在2000v以上，它一般都

https://www.alighting.cn/resource/20120731/126483.htm2012/7/31 14:08:00

LED行业：国际大厂寻求差异化

台湾LED企业8月营收公布,其中LED芯片龙头晶电与封装龙头亿光表现优异,月度营收同比分别增长30.6%、18.6%,显示LED行业仍保持较高景气度。ge、三星LED灯国际le

https://www.alighting.cn/news/20140917/87984.htm2014/9/17 10:36:41

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘要:用同种ｇａｎ基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基LED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

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