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源及线路保护器件等产品与技术的发展。由此可见，电子技术的发展正在积极推动着照明的更新换代，led和oled固体照明方案的出现将人类的照明水平提升到了一个新的阶段，这个过程不仅是照
http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/12/15/121025.html2010/12/15 14:44:00
兆驰股份公告称，公司正在筹划投资设立全资子公司深圳市兆驰光电有限公司，项目总投资金额为2亿元，由公司以自有资金全额出资。
https://www.alighting.cn/news/20101215/119120.htm2010/12/15 10:49:37
光 led等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。 而GaN（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120886.html2010/12/14 21:52:00
镓（GaN）等材料组成，其内部结构具有单向导电性。 3）、晶片的结构： 焊单线正极性（p/n结构）晶片，双线晶片。晶片的尺寸单位：mil 晶片的焊垫一般为金垫或铝垫。其焊垫形
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120887.html2010/12/14 21:52:00
好。 清华微电子推出高频管分立器件裸片，已做到9g截止频率 1 硬件电路 多位led显示时，常将所有位的段选线并联在一起，由一个8位i／o口控制，而共阴极点或
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120875.html2010/12/14 21:49:00
清华微电子推出高频管分立器件裸片，已做到9g截止频率 另一方面，现有的全彩色大屏幕一般亮度等级不足，即便采用了非线性灰度控制技术，在低亮度等级上表现色彩的能力仍然较差，显示的层次
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120876.html2010/12/14 21:49:00
功率led由于芯片的功率密度很高，器件的设计者和制造者必须在结构和材料等方面对器件的热系统进行优化设计。目前GaN基外延衬底材料有两大类：一类是以日本日亚化学为代表的蓝宝石；一
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
化镓（GaN）等材料组成，其内部结构具有单向导电性。 3）、晶片的结构： 焊单线正极性（p/n结构）晶片，双线晶片。晶片的尺寸单位：mil 晶片的焊垫一般为金垫或铝垫。其焊垫形
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120871.html2010/12/14 21:47:00
知的那部分当量,称作为光通量φv(1m).辐射通量与器件的电功率之比表示led的辐射效率;光通量与器件的电 度指在给定方向上单位立体角内所发射的光通量: i= dφ/dω(c
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120865.html2010/12/14 21:46:00
前完成。 (4)、支架成形需保证引脚和间距与线路板上一致。 led安装方法 (1)、注意各类器件外线的排列，以防极性装错。器件不可与发热元件靠得太近，工作条件不要超过其规
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120867.html2010/12/14 21:46:00
